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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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STF140N6F7 N 沟道功率 MOSFET

MOSFET
型号： STF140N6F7

--- 产品参数 ---

  • 型号 STF140N6F7
  • 封装 TO-220FP
  • 功耗 33W
  • 漏源电压 Vds 60V

--- 产品详情 ---

STF140N6F7

内容简介

  • STF140N6F7 是ST/意法的一款功率MOSFET电子元器件，为广泛的电压范围（30V至350V）应用提供了卓越的解决方案。采用TO-220FP封装，以其N沟道结构和卓越的功率特性而闻名。无论是高性能工业设备还是创新电子产品，STF140N6F7都能胜任。STF140N6F7拥有60V的工作电压，典型导通电阻仅为0.0031欧姆，最大电流可达70A。这一强大的性能组合为您的应用提供了稳定可靠的动力支持。
  • STF140N6F7作为STripFET™ F7系列的杰出代表，不仅具备卓越的性能，更以其可靠性而脱颖而出。无论是在高温、高压或其他苛刻环境下，STF140N6F7都能保持出色的表现，为您的应用提供持久稳定的工作保障。

 

特征

  • 渠道类型： N通道
  • 漏源电压 Vds : 60V
  • 连续漏极电流 Id : 70A
  • 漏极源导通电阻： 0.0031欧姆
  • 晶体管外壳样式： TO-220FP
  • 晶体管安装： 通孔
  • Rds(on) 测试电压： 10V
  • 栅极源极阈值电压最大值： 4V
  • 功耗： 33W
  • 引脚数： 3针
  • 最高工作温度： 175℃
  • 类别： STripFET F7

 

 

应用领域

  • 切换应用程序

 

 

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