1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 凭借我们的首款工业级第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 继续在碳化硅 (SiC) 领域保持领先地位。该产品完全符合工业标准，具有高阻断电压 (1700 V) 和业界领先的低 R DS(ON)温度稳定性，可在最苛刻的应用中实现低传导损耗和最高的品质因数。这些设备针对高功率应用进行了优化，例如机车牵引、固态断路器、太阳能、不间断电源等。
Wolfspeed 的 1700 V 裸片碳化硅 MOSFET 基于最新的第三代威廉希尔官方网站 ，包括一系列导通电阻和封装选项，使设计人员能够为其应用选择正确的部件。1700 V MOSFET 专为低 R DS(ON)而设计，易于并联并与标准栅极驱动设计兼容。从硅基解决方案转向碳化硅所获得的效率有助于降低系统尺寸、重量和冷却要求。背面金属化为模块设计者选择装配工艺和模块布局提供了更好的解决方案。
特征
- 工业级合格
- 高阻断电压和业界领先的低 R DS(on)温度稳定性
- 抗闩锁
- 驱动器的高栅极电阻
好处
- 通过降低开关和传导损耗提高系统效率
- 降低系统尺寸、重量和冷却要求
- 实现高开关频率操作
- 易于并联并与标准栅极驱动设计兼容
应用领域
- 火车牵引
- 太阳能
- 不间断电源系统（UPS）
- 风力
MOSFET CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
CPM3-0900-0030A
CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
EPM3-1200-0017D1-R01
EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
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CPM3-3300-R050A
