1200 V、17 mΩ、134 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 凭借我们的首款汽车级 1200 V E 系列裸片碳化硅 (SiC) MOSFET 继续在碳化硅领域保持领先地位。该产品组合完全符合汽车标准，具有高阻断电压和业界领先的低 R DS(ON)温度稳定性，可在最苛刻的应用中实现低传导损耗和最高的品质因数。这些器件针对高功率应用进行了优化，例如汽车传动系统、电机驱动器、固态断路器、谐振拓扑等。
Wolfspeed 的 1200 V 裸片 SiC MOSFET 基于最新的第三代威廉希尔官方网站 ，包括一系列导通电阻和封装选项，使设计人员能够为其应用选择正确的部件。1200 V MOSFET 专为低 R DS(ON)而设计，易于并联并与标准栅极驱动设计兼容。从硅基解决方案转向碳化硅所获得的效率有助于降低系统尺寸、重量和冷却要求。
一系列顶部和背面金属化选项和芯片布局为模块设计者提供了选择组装工艺和模块布局的灵活性。
特征
- 汽车级认证
- 高阻断电压和业界领先的低 RDS(on) 温度稳定性
- 抗闩锁
- 驱动器的高栅极电阻
好处
- 通过降低开关和传导损耗提高系统效率
- 降低系统尺寸、重量和冷却要求
- 实现高开关频率操作
- 易于并联并与标准栅极驱动设计兼容
应用
- 汽车传动系统
- 电机驱动
- 固态断路器
- 谐振拓扑
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
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CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
EPM3-1200-0017D1-R01
EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
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CPM2-1200-0080A
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CPM3-1700-R020E
CPM3-3300-R050A
