900 V、10 mΩ、194 A、第 3 代裸片 SiC MOSFET
Wolfspeed 通过引入最先进的 SiC MOSFET 威廉希尔官方网站 （业界首个 900 V MOSFET 平台）扩大了其在碳化硅 (SiC) 威廉希尔官方网站 领域的领先地位。全新 900 V 平台针对高频电力电子应用（包括可再生能源逆变器、电动汽车充电系统和三相工业电源）进行了优化，可实现更小、更轻、效率更高的下一代电力转换系统，且成本与硅相当基于的解决方案。
特征
- 整个工作温度范围内 Vbr 最低为 900V
- 高阻断电压和低 RDS(on)
- 具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的快速本征二极管
- 具有低输出电容的高速开关
好处
- 高电压；高温；耐高湿性，可实现真正的户外太阳能转换和非车载充电应用
- 提高系统效率并显着降低开关损耗
- 减小系统尺寸；重量; 和冷却要求
- 提高功率密度
- 易于并联并与标准栅极驱动设计兼容
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电机驱动
- 高压DC/DC转换器
- 开关模式电源
- 固态断路器
- 车外充电器
CPM3-0650-0015A
CPM3-0650-0045A
CPM3-0650-0060A
EPM3-0750-0010D
CPM3-0900-0010A
CPM3-0900-0030A
CPM3-0900-0065A
EPM3-1200-R013D
CPM3-1200-0013A
EPM3-1200-0014D1
EPM3-1200-R015D
CPM3-1200-0016A
EPM3-1200-0017D1-R01
EPM3-1200-0017D-R01
CPM3-1200-0021A
CPM2-1200-0025A
CPM3-1200-0032A
CPM2-1200-0040A
CPM3-1200-0075A
CPM2-1200-0080A
CPM3-1200-0160A
CPM3-1700-R020E
CPM3-3300-R050A
