该 FRAM 芯片（铁电随机存取存储器）配置为 16,384 × 8 位, 通过铁电工艺和硅栅 CMOS 工 艺威廉希尔官方网站 形成非易失性存储单元和 SRAM 不同，该芯片不需要电池就可以保持数据。 该芯片中使用的存储单元可用于 1E6 次读/写操作 *1，它的读/写耐久性大大超过 FLASH 和 EEPROM，且不会像FLASH 或 EEPROM 那样需要很长的数据写入时间，而且它不需要等待时间。
产品特点
容量 128Kb
接口类型 SPI接口(模式0和模式3)
工作电压 2.7伏至3.6伏
工作频率 25兆赫兹 功耗 4.2毫安（25兆赫兹）
低功耗 9微安（待机）
耐久度 1E6读/写（常温），10 9/读（常温）
数据保持 10年@85℃（200年@25℃）
高速读特性 支持 40MHz 高速读命令
工作环境温度范围 -40℃至85℃
封装形式 8引脚SOP封装，符合RoHS
