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DMN1001UCA10 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMN1001UCA10

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMN1001UCA10
  • 名称 12V N 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 X2-TSN1820-10

--- 产品详情 ---

DMN1001UCA10 

产品简介
DIODES 的 DMN1001UCA10这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (RSS(ON))，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMN1001UCA10
名称            12V N 沟道增强型 MOSFET
产地            台湾
封装            X2-TSN1820-10

 

产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 20 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3.55 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 6.9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 29 (@4V) nC
CISS Typ (pF) 2865 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V


主要特征
CSP 封装尺寸 1.84mm × 1.96mm
薄型高度 = 0.30mm（典型值）
栅极ESD保护


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