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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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ZXGD3111N7 MOSFET 控制器

MOSFET 二极管 控制器 有源
型号： ZXGD3111N7

--- 产品参数 ---

  • 符合 AEC 标准 不
  • 合规性（只有汽车支持 标准
  • 电源电压 V CC 25伏
  • 漏极电压 V D 200伏
  • 源电流I SOURC 2个
  • 灌电流 I SINK 5个
  • 关断时间 (td2) 400 纳秒
  • 关断时间 (tf) 131纳秒

--- 产品详情 ---

ZXGD3111N7

产品简介 
DIODES 的 ZXGD3111N7 是一款 200V 有源 OR-ing MOSFET 控制器，设计用于驱动极低 RDS(ON)功率 MOSFET 作为理想二极管。这取代了标准整流器以减少正向压降并整体提高功率传输效率。
ZXGD3111N7 可用于电压轨高达 ±200V 的高侧和低侧电源装置 (PSU)。它使 RDS(ON)非常低的MOSFET 能够作为理想二极管运行，因为关断阈值仅为3mV，容差为 ±2mV。在典型的 48V 配置中，待机功耗为＜50mW。电流＜1mA。在PSU故障情况下，OR’ing控制器检测到功率降低，并在<600ns以阻断反向电流并避开公共总线电压下降。

 

产品规格
符合 AEC 标准 不
合规性（只有汽车支持 PPAP） 标准
电源电压 V CC  (V) 25伏
漏极电压 V D  (V) 200伏
源电流I SOURCE  (A) 2个
灌电流 I SINK  (A) 5个
关断时间 (td2) (ns) 400 纳秒
关断时间 (tf) (ns) 131纳秒

 

主要特征
用于高侧或低侧 PSU 的有源 OR-ing MOSFET 控制器
降低正向压降的理想二极管
-3mV 典型关断阈值，具有 ±2mV 容差
200V 漏极电压额定值
25V V CC额定值
<50mW 待机功耗，静态电源电流 <1mA
<600ns 关断时间以最大限度地减少反向电流
完全无铅且完全符合 RoHS 标准
不含卤素和锑。“绿色”设备

 

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