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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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UF4C120070K3S 栅极驱动 SiC FET 器件

型号： UF4C120070K3S

--- 产品参数 ---

  • VDS 最大值(V) 1,200
  • RDS(on) 72
  • 内径最大值(A) 27.5
  • 一代 第 4 代
  • Tj 最大值(°C) 175
  • 汽车资质 不是
  • 包装类型 TO-247-3L

--- 产品详情 ---

UF4C120070K3S

产品简介
Qorvo 的 UF4C120070K3S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 TO-247-3L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。

 

产品规格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 72
内径最大值(A) 27.5
一代 第 4 代
Tj 最大值(°C) 175
汽车资质 不是
包装类型 TO-247-3L

 

主要特征
导通电阻 RDS(on)：72 mohm（典型值）
最高工作温度：175 °C
出色的反向恢复：Qrr = 72 nC
低体二极管 VFSD：1.43 V
低栅极电荷：QG = 37.8 nC
阈值电压 VG(th)：4.8 V（典型值）允许 0 至 15 V 驱动

 

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