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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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T2G6000528-Q3 射频功率晶体管

功率 射频 射频功率晶体管 晶体管
型号： T2G6000528-Q3

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 直流电
  • 最大频率(MHz) 6,000
  • 增益（分贝） 17
  • 饱和度(dBm) 40
  • 排水效率(%) 53
  • 电压（伏） 28
  • Idq （毫安） 50
  • 包装类型 NI-200

--- 产品详情 ---

T2G6000528-Q3

产品简介
Qorvo 的 T2G6000528-Q3 是一款 10 W (P3dB) 宽带无可匹敌的基于 SiC HEMT 的分立式 GaN，可在 DC 至 6 GHz 和 28V 电源轨下运行。该器件采用行业标准气腔封装，非常适用于军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 直流电
最大频率(MHz) 6,000
增益（分贝） 17
饱和度(dBm) 40
排水效率(%) 53
电压（伏） 28
Idq （毫安） 50
包装类型 NI-200

 

主要特征
频率：直流至 6 GHz
线性增益：3.3 GHz 时为 17 dB
工作电压：28V
输出功率 (P3dB)：3.3 GHz 时为 10 W
无铅且符合 RoHS 标准
低热阻封装

 

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