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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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QPD1425L 射频 晶体管 分立式

分立式 射频 晶体管
型号： QPD1425L

--- 产品参数 ---

  • 最低频率(MHz) 1,200
  • 最大频率(MHz) 1,400
  • 增益（分贝） 17
  • 饱和度(dBm) 56.3
  • 排水效率(%) 75
  • 电压（伏） 65
  • Idq （毫安） 430
  • 包装类型 NI-400
  • 包装（毫米） 10.16 x 10.16 x 4.06

--- 产品详情 ---

QPD1425L

产品简介
Qorvo 的 QPD1425L 是一款 375W 分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 1.2 至 1.4 GHz，通常提供 56.3dBm 的饱和输出功率以及 17dB 的大信号增益和 75% 的漏极效率。
封装内的输入预匹配可简化外部电路板匹配并节省电路板空间。该器件采用行业标准气腔封装，非常适合雷达应用。该器件可支持 CW 和脉冲操作。气腔封装，非常适合雷达应用。该器件可支持 CW 和脉冲操作。

 

产品规格
最低频率(MHz) 1,200
最大频率(MHz) 1,400
增益（分贝） 17
饱和度(dBm) 56.3
排水效率(%) 75
电压（伏） 65
Idq （毫安） 430
包装类型 NI-400
包装（毫米） 10.16 x 10.16 x 4.06

 

主要特征
工作频率范围：1.2 - 1.4 GHz
饱和输出功率 P SAT：56.3dBm
P SAT时的排水效率：75%
P SAT时的大信号增益：17 dB
偏置：V DS = +65V，I DQ = 430 mA
封装类型：NI-400
封装尺寸：10.16 x 10.16 x 4.06 毫米

 

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