MRF275G
RF MOSFET 系列 150W，500MHz，28V
主要设计用于 100 – 500 MHz 的宽带大信号输出和驱动级。
特征
- N 沟道增强型器件
- 100% 测试了所有相位角的负载不匹配，VSWR 为 30:1
- 28 V 时的总体较低电容：Ciss — 135 pF，Crss — 17 pF，Coss — 140 pF
- 工业和商业应用中功率放大器的典型数据：
- 典型性能 @ 225 MHz，28 Vdc：OutputPpower — 200 W，功率增益 — 15 dB，效率 — 65%
- 简化的 AVC、ALC 和调制
- 400 MHz、28 Vdc 时的典型性能：输出功率 — 150 W，功率增益 — 12.5 dB，效率 — 60%
- 性能保证 @ 500 MHz，28 Vdc：输出功率 — 150 W，功率增益 — 10 dB，（最小值），效率 — 50%（最小值）
产品规格
零件号
MRF275G
描述
RF MOSFET 系列 150W，500MHz，28V
最小频率(MHz)
100
最大频率(MHz)
500
偏压(V)
28.0
噘嘴（W）
150.00
增益（分贝）
10.00
效率（％）
50
类型
TMOS
包裹
法兰陶瓷包
包裹类别
法兰安装
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