--- 产品参数 ---
- 型号 S25FS128SDSNFI100
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
S25FS128SDSNFI100,MirrorBit®闪存非易失性存储器 1.8 V带CMOS I/O的单电源 具有多I/O的串行外围接口
S25FS128SDSNFI100,MirrorBit®闪存非易失性存储器 1.8 V带CMOS I/O的单电源 具有多I/O的串行外围接口
特征
密集
–128 Mbits(16 Mbytes)
–256 Mbits(32 Mbytes)
串行外围接口(SPI)
–SPI时钟极性和相位模式0和3
–双倍数据速率(DDR)选项
–扩展寻址:24位或32位地址选项
–串行命令子集和封装与S25FL-A兼容,
S25FL-K、S25FL-P和S25FL-S SPI系列
–多I/O命令子集和封装与S25FL-P兼容,
和S25FL-S SPI系列
阅读
–命令:正常、快速、双I/O、四I/O、DDR四I/O
–模式:突发包裹、连续(XIP)、QPI
–串行闪存可发现参数(SFDP)和通用闪存
接口(CFI),用于配置信息
程序
–256或512字节页面编程缓冲区
–程序暂停和恢复
擦除
–混合行业选项
–八个4千字节扇区和一个32千字节扇区的物理集合
地址空间的顶部或底部以及
64千字节
–统一扇区选项
–统一64 kbyte或256 kbyte块,以实现软件兼容性
具有更高的密度和未来的设备
–擦除挂起并恢复
–擦除状态评估
–任何扇区上至少100000个程序擦除周期
–20年数据保留,典型
安全功能
–1024字节的一次性程序(OTP)阵列
–块保护:
–状态寄存器位,用于控制对程序或
擦除连续的扇区范围
–硬件和软件控制选项
–高级行业保护(ASP)
–由引导代码或密码控制的单个扇区保护
–读取访问的密码控制选项
威廉希尔官方网站
–跨度65 nm MirrorBit威廉希尔官方网站 与Eclipse™ 建筑学
电源电压
–1.7V至2.0V
温度范围
–工业(0°C至+85°C)
–汽车(-40°C至+105°C)
包装(所有无铅)
–8导联SOIC 208 mil(SOC008)-仅限FS128S
–WSON 6x5 mm(WND008)-仅限FS128S
–WSON 6x8 mm(WNH008)-仅限FS256S
–16引线SOIC 300 mil(仅限SO3016-FS256S)
–BGA-24 6x8毫米
–5x5球(FAB024)占地面积
–4x6球(FAC024)占地面积
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