--- 产品详情 ---
具有 8 和 12V UVLO 选项的 5.7kVrms、4A/5A 单通道光兼容隔离式栅极驱动器
Number of channels (#) | 1 |
Isolation rating (Vrms) | 5700 |
Power switch | IGBT, MOSFET, SiCFET |
Peak output current (A) | 4.5 |
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8000 |
DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 1500 |
Output VCC/VDD (Max) (V) | 33 |
Output VCC/VDD (Min) (V) | 14 |
Prop delay (ns) | 70 |
Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
Undervoltage lockout (Typ) | 12, 8 |
- 光耦容输入的 5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 3A 最大峰值输出电流
- 13.2V 至 33V 输出驱动器电源电压
- 115ns(最大值)传播延迟
- 25ns(最大值)部件对部件延迟匹配度
- 100kV/μs 最小共模瞬态抗扰度 (CMTI)
- 隔离栅寿命大于 40 年
- 输入引脚具有 7V 反极性电压处理能力
- 扩展型 SO-6 封装,爬电距离和间隙大于 8.5mm
- 工作结温范围
TJ:–40°C 至 +130°C - 安全相关认证:
- VISO:UL 1577 标准下,长达 1 分钟的 5kVRMS 隔离电压
- VIOSM:8kVPK 可承受的隔离浪涌电压
- VIOWM:1kV 工作电压
- CSA 组件验收通知 5A,IEC 60950-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准(计划)
- 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证(计划)
UCC23513 是一款光兼容单通道隔离式 IGBT、SiC 和 MOSFET 栅极驱动器,具有 3A 峰值输出电流和 5KVRMS 增强型隔离等级。高达 33V 的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动 SiC 功率 FET。UCC23513 可以驱动高端(带外部自举二极管和电容器)和低端功率 FET。此器件的主要 特性 此器件与传统基于光耦合的栅极驱动器相比,引脚完全兼容,同时性能得到了进一步升级。性能亮点包括高共模瞬态抗扰度 (CMTI)、低传播延迟和小脉冲宽度失真。严格的过程控制保证了较小的部件间偏移。输入级是仿真二极管,这与传统 LED 相比,具有长期可靠性和出色的老化特性。此外,绝缘材料采用材料组I模压混合物,相对漏电起痕指数高于600V,具有更高的绝缘强度和可靠性。UCC23513 的高性能和可靠性以及扩展型 SO-6 封装、大于 8.5mm 的间隙和爬电距离使其适用于电机驱动和 太阳能、 直流电机控制、工业电源和电器中的逆变器应用。较高的工作温度为以前传统光耦合器 无法 支持的应用提供了机会。
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