具有 8V UVLO 和 3.3mm 通道间距的汽车类 5.7kVRMS、4A/6A 双通道隔离式栅极驱动器
| Number of channels (#) | 2 |
| Isolation rating (Vrms) | 5700 |
| Power switch | GaNFET, IGBT, MOSFET |
| Peak output current (A) | 6 |
| DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk) | 8000 |
| DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk) | 1414 |
| Output VCC/VDD (Max) (V) | 18 |
| Output VCC/VDD (Min) (V) | 9.2 |
| Input VCC (Min) (V) | 3 |
| Input VCC (Max) (V) | 5.5 |
| Prop delay (ns) | 28 |
| Operating temperature range (C) | -40 to 125 |
| Undervoltage lockout (Typ) | 8 |
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：
- 器件温度 1 级
- 器件 HBM ESD 分类等级 H2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C6
- 功能安全质量管理型
- 有助于进行功能安全系统设计的文档
- 结温范围 –40°C 至 150°C
- 高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
- 5V 和 8V VDD UVLO 选项
- CMTI 大于 100 V/ns
- 开关参数：
- 40 ns 最大传播延迟
- 5 ns 最大延迟匹配
- 5.5 ns 最大脉宽失真
- 35 μs 最大 VDD 上电延迟
- 安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的 8000VPK 增强型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
- 符合 GB4943.1-2011 标准的 CQC 认证
UCC21540-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和 GaN 晶体管。
UCC21540-Q1 器件可以配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或一个半桥驱动器。输入侧通过一个 5.7kVRMS 隔离层与两个输出驱动器相隔离，其共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100 V/ns。
保护功能包括：可通过电阻器编程的死区时间；通过禁用功能同时关闭两路输出；集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns 的输入瞬变；以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的尖峰进行 200 ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO 保护。
