--- 产品参数 ---
- 工作频率: 高达 5 GHz
- P3dB: 高达 10 W
- 电源电压: 高达 50 V
- 威廉希尔官方网站 GaN on SiC HEMT
--- 产品详情 ---
描述
WSGPA01 是一款 GaN on SiC 分立通用放大器 (GPA),设计用于高达 5 GHz 的应用。该器件在高达 50 V 的电源电压下工作,可实现 10 W 的 P3dB。它采用 3 mm X 4 mm DFN 封装。虽然它专为具有降低波峰因数和数字预失真 LTE 或 5G NR 信号的通信基础设施应用而设计;它可能适用于频率高达 5 GHz 的其他应用;仅受其最大工作条件的限制。
特征
GaN on SiC HEMT 威廉希尔官方网站
工作频率:高达 5 GHz
P3dB:高达 10 W
电源电压:高达 50 V
无铅且符合 RoHS 标准
应用
多标准蜂窝功率放大器
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