--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
APM4412KC-VB 是一款高性能的单一 N 沟道 MOSFET,采用先进的 Trench 威廉希尔官方网站 。它具有低导通电阻和高漏极电流能力,适合需要高效能和可靠性的电源开关和控制应用。
### 2. 详细参数说明
- **型号**: APM4412KC-VB
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单一 N 沟道
- **最大漏极电压 (VDS)**: 30V
- **栅极 - 源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 11mΩ @ VGS = 4.5V
- 8mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **威廉希尔官方网站
**: Trench
### 3. 应用示例
这款 MOSFET 适用于以下领域和模块:
- **电源管理**: APM4412KC-VB 可用作高性能电源管理中的开关器件,如 DC-DC 转换器和电源模块,提供高效能和可靠的功率转换。
- **电动工具**: 在电动工具中,作为电机驱动器件,支持高电流和高频率开关,确保电动工具的高效性能和长寿命。
- **电池保护**: 用于电池管理系统中的放电保护和电池保护电路,确保电池的安全和长寿命。
- **汽车电子**: 在汽车电子中的电动汽车充电器和电源控制模块中,提供高效能和可靠性的电源管理解决方案。
- **工业自动化**: 用于工业自动化系统中的各种电源开关和电机驱动器,支持工业设备的高效运行和能源管理。
这些示例展示了 APM4412KC-VB 的多功能性和广泛适用性,使其成为各种需要高效能和可靠性的电子应用的理想选择。
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