--- 产品参数 ---
- 封装 TO252
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 1. 产品简介
AP9973GH-HF-VB 是一款单 N-Channel 沟道场效应管(Single-N-Channel MOSFET),采用沟道威廉希尔官方网站 。该器件具有60V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的门极-源极电压(VGS)(±V),阈值电压(Vth)为1.7V。其设计具有较低的导通电阻和适中的电流承载能力,非常适合在多种应用场景中使用。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型(Package)**: TO252
- **配置(Configuration)**: 单 N-Channel
- **最大漏极-源极电压(VDS)**: 60V
- **门极-源极电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 73mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流(ID)**: 18A
- **威廉希尔官方网站
特点**: Trench(沟道威廉希尔官方网站
)
### 3. 应用示例
AP9973GH-HF-VB 可以在多种领域和模块中使用,例如:
- **电源管理**:适用于开关电源、DC-DC 变换器和电池管理系统中的功率开关,提供高效的电流控制和能量转换。
- **汽车电子**:在车载电源系统、电动汽车电池管理和电动驱动系统中,作为高效能和可靠的功率开关。
- **工业自动化**:用于工业控制系统中的电机驱动、逆变器和电动工具的功率管理和调节。
- **消费电子**:在高性能电源适配器、LED 驱动器和其他家用电子设备中,提供高效能的电源管理和电流控制。
这些应用实例展示了 AP9973GH-HF-VB 在需要可靠、高效功率控制的各种电子系统中的广泛适用性和威廉希尔官方网站 优势。
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