--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Dual-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9960GM-HF-VB 产品简介
AP9960GM-HF-VB是一款高性能双N沟道MOSFET,封装类型为SOP8。这款MOSFET采用先进的Trench威廉希尔官方网站 ,具备低导通电阻和高电流承载能力,非常适合各种高效电源管理和切换应用。
### AP9960GM-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**:SOP8
- **配置**:双N+N-Channel
- **漏极-源极电压 (VDS)**:30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±20V
- **门限电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 20mΩ @ VGS=4.5V
- 16mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:8.5A
- **威廉希尔官方网站
**:Trench
### AP9960GM-HF-VB 应用领域和模块示例
AP9960GM-HF-VB由于其低导通电阻和高电流承载能力,非常适用于以下几个领域和模块:
1. **电源管理模块**:
- 在笔记本电脑和台式机的电源管理模块中,AP9960GM-HF-VB可以用于高效的DC-DC转换器,以提供稳定的电源输出,同时减少功耗。
2. **电动工具**:
- 在电动工具的电机驱动电路中,该MOSFET可以用于高效的电机控制,提供高功率驱动,同时保持低热损耗,提高电动工具的使用寿命。
3. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,如电动座椅控制和LED照明系统中,AP9960GM-HF-VB可以用于开关和控制电路,提高系统的可靠性和效率。
4. **通信设备**:
- 在通信基站和路由器等通信设备中,该MOSFET可以用于功率放大器和信号切换电路,确保信号的稳定传输和设备的长时间可靠运行。
通过以上示例可以看出,AP9960GM-HF-VB在多个高效电源管理和控制应用中具有广泛的应用前景,是一款性能优越且适用性强的MOSFET产品。
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