--- 产品参数 ---
- 封装 TSSOP8
- 沟道 Common Drain-N+N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9920GEO-VB 产品简介
AP9920GEO-VB 是一款双N沟道共源放大器MOSFET,采用TSSOP8封装。该器件结合了高性能的沟槽威廉希尔官方网站 ,具有低阈值电压、低导通电阻和高漏源极电流特性,适用于需要高效率电源管理和信号放大的应用。
### AP9920GEO-VB 详细参数说明
- **封装形式**:TSSOP8
- **配置**:双N沟道共源放大器
- **漏源极电压 (VDS)**:30V
- **栅源极电压 (VGS)**:20V(±)
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 19mΩ @ VGS = 4.5V
- 12mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:8.6A
- **威廉希尔官方网站
类型**:Trench(沟槽威廉希尔官方网站
)
### 应用领域和模块示例
AP9920GEO-VB MOSFET 可以在以下领域和模块中发挥重要作用:
1. **电源管理**:适用于DC-DC转换器、电池管理系统和电源放大器,通过其低导通电阻和高电流能力,提升能源转换效率和电源放大性能。
2. **音频放大器**:作为音频放大器电路中的关键元件,用于提供稳定和高效的信号放大,支持高保真音频输出。
3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,用作电动机控制、电池管理和驱动器,确保车辆系统的高效能和安全性。
4. **无线通信**:用于射频功率放大器和信号调制器中,提供高效的信号放大和传输,支持无线通信设备的稳定运行。
5. **工业自动化**:在工业控制和自动化设备中,用作电机控制开关和电源管理,支持设备的高效运行和生产效率。
通过以上示例,AP9920GEO-VB MOSFET 展示了其在多个领域中的广泛应用,为电子设备和系统提供高性能和可靠性的解决方案。
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