--- 产品参数 ---
- 封装 TO251
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9918J-VB MOSFET 产品简介
AP9918J-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的 Trench 威廉希尔官方网站 制造,具有高电流承载能力和低导通电阻。其封装为 TO251,适合在各种电子设备中进行功率控制和能量转换。
### AP9918J-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO251
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:30V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:50A
- **威廉希尔官方网站
**:Trench
### 应用领域和模块
AP9918J-VB 适用于以下领域和模块:
1. **电源管理和供电系统**:在各类电源管理系统中,如电源模块、DC-DC 转换器和电池管理系统中,AP9918J-VB 可以用作功率开关,确保高效能量转换和稳定的电源输出。
2. **电动工具和家电**:在高功率电动工具和家电设备中,如吸尘器、电磁炉和电动剃须刀中,该 MOSFET 可以用于电机驱动和功率控制,提供高效能量转换和长期可靠性。
3. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如电动车辆、混合动力汽车和内燃机电控系统中,AP9918J-VB 可以用于驱动电动机和辅助设备,实现高效能量管理和动力传输。
4. **工业自动化**:在工业自动化控制系统中,如机器人威廉希尔官方网站 、PLC 控制和自动化设备中,该 MOSFET 可以用于执行器控制和电机驱动,确保精确的运动控制和高效的能量转换。
通过以上示例,可以看出 AP9918J-VB 在多个领域和模块中都具有广泛的应用潜力,为各种高功率电子设备提供了可靠的功率管理和控制解决方案。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N