--- 产品参数 ---
- 封装 SOP8
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9585GM-VB 产品简介
AP9585GM-VB是一款单P沟道功率MOSFET,采用先进的Trench威廉希尔官方网站 ,适用于中到高压负载开关和电源管理应用。该器件封装为SOP8,具有良好的热管理能力和稳定的电气特性。
### AP9585GM-VB 详细参数说明
- **封装类型**: SOP8
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 200mΩ @ VGS=4.5V
- 160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -2.5A
- **威廉希尔官方网站
**: Trench
### AP9585GM-VB 应用领域和模块
AP9585GM-VB适用于以下领域和模块,特别是对中到高压负载和电源管理有要求的场景:
1. **电源管理**:
- 由于其高漏源电压和适中的导通电阻,AP9585GM-VB可用于高压电源管理模块,如电池管理系统、DC-DC变换器和电源逆变器。
2. **工业控制**:
- 在工业自动化和控制系统中,该MOSFET可用于高压负载开关和电机驱动器,如工业机器人、电动工具和电动车辆。
3. **汽车电子**:
- 在汽车电子系统中,AP9585GM-VB适用于高压负载开关和电池管理单元,如混合动力车辆、电动汽车和汽车电池包管理系统。
4. **通信设备**:
- 在通信基础设施中,如基站设备和通信网络设备,该器件可以用作高压电源管理和功率开关控制模块,确保设备的稳定运行和高效能转换。
5. **消费电子**:
- 虽然漏极电流较低,但在特定的消费电子产品中,如高性能音频设备和工作站电源管理中,也可以考虑使用AP9585GM-VB来提供电源管理和开关控制功能。
总之,AP9585GM-VB以其高漏源电压和稳定的电气特性,适用于多种中到高压负载开关和电源管理应用。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N