--- 产品参数 ---
- 封装 TO263
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9579GS-HF-VB 产品简介
AP9579GS-HF-VB是一款单P沟道MOSFET,采用TO263封装。该器件具有负向漏极电压能力,适用于中高功率电源管理和负载开关应用。通过Trench威廉希尔官方网站 设计,AP9579GS-HF-VB提供了优异的导通特性和可靠性。
### AP9579GS-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO263
- **配置**:单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:-60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 25mΩ @ VGS=4.5V
- 19mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:-80A
- **威廉希尔官方网站
类型**:Trench
### AP9579GS-HF-VB 应用领域和模块举例
1. **电动工具和汽车电子**:AP9579GS-HF-VB适用于电动工具和汽车电子系统中的电源管理和负载开关。例如,电动车辆的电池管理系统中需要高功率MOSFET来确保电池充放电的效率和安全性。
2. **电源模块和开关电源**:在高功率电源模块和开关电源中,AP9579GS-HF-VB可以用于高效的功率转换和稳定的电源管理,例如工业设备和服务器的电源供应单元。
3. **电动工业和自动化控制**:用于工业电动机驱动和自动化控制系统中的电源管理和开关控制。这些系统需要高功率MOSFET来处理大电流和高效能的电力转换。
4. **服务器和数据中心设备**:在服务器和数据中心的电源分配和电源管理单元中,AP9579GS-HF-VB可用于确保高效的数据处理和稳定的系统运行。
通过其优越的电性能和适应多种应用的能力,AP9579GS-HF-VB是解决中高功率电子设备中电源管理和负载控制需求的理想选择。
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