--- 产品参数 ---
- 分钟 TO220F
- 沟道 Single-P
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### AP9578GI-HF-VB 产品简介
AP9578GI-HF-VB是一款单P沟道MOSFET,采用TO220F封装。该器件适用于中低功率电源管理和负载开关应用,具有负向漏极电压能力。采用Trench威廉希尔官方网站 设计,AP9578GI-HF-VB结合了成本效益和基本功率管理功能。
### AP9578GI-HF-VB 详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:-60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 120mΩ @ VGS=4.5V
- 100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:-20A
- **威廉希尔官方网站
类型**:Trench
### AP9578GI-HF-VB 应用领域和模块举例
1. **电源适配器和充电器**:适用于中小功率的电源适配器和充电器,如手机充电器、便携式电子设备的充电电路。AP9578GI-HF-VB能够提供稳定和高效的充电解决方案。
2. **消费电子产品**:在消费电子产品中,如电视机、音响设备和家电控制器中,AP9578GI-HF-VB可用于负载开关和电源管理,确保设备在不同负载和工作模式下的稳定性和可靠性。
3. **LED照明驱动**:用于LED照明驱动电路中,特别是低至中功率的LED灯具和照明系统。该MOSFET可以帮助实现LED驱动器的高效能和长寿命。
4. **工业控制和自动化**:在工业控制系统中,AP9578GI-HF-VB可以用于电机驱动、开关电源和工业自动化设备的电源管理和负载控制,确保设备的稳定运行和效率。
通过AP9578GI-HF-VB,设计工程师可以实现成本效益高、功率管理有效的解决方案,适用于广泛的中低功率电子应用,满足市场对节能和可靠性的需求。
为你推荐
-
AP9T18J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:11
产品型号:AP9T18J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T18GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:10
产品型号:AP9T18GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T18GEH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:09
产品型号:AP9T18GEH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:08
产品型号:AP9T16J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T16H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:06
产品型号:AP9T16H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16GH-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:05
产品型号:AP9T16GH-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T16AGH-HF-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:04
产品型号:AP9T16AGH-HF-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15J-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:03
产品型号:AP9T15J-VB 封装:TO251 沟道:Single-N -
AP9T15H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:01
产品型号:AP9T15H-VB 封装:TO252 沟道:Single-N -
AP9T15GJ-HF-VB一款Single-N沟道TO251的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明2024-12-27 15:00
产品型号:AP9T15GJ-HF-VB 封装:TO251 沟道:Single-N