--- 产品参数 ---
- 封装 TO220F
- 沟道 Single-N
--- 数据手册 ---
--- 产品详情 ---
### 一、AP2764AI-HF-VB产品简介
AP2764AI-HF-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,适用于高压应用。它具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),适合需要处理高电压的电路和设备。此外,它的设计使其在大电流条件下表现出色,适合要求高功率和可靠性的应用。
### 二、AP2764AI-HF-VB详细参数说明
- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:30V(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:7A
- **威廉希尔官方网站
类型**:Plannar
### 三、适用领域和模块应用举例
AP2764AI-HF-VB因其高电压和高电流能力,适用于多个领域和模块,包括但不限于:
1. **电源开关**:在高压电源开关中,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器,AP2764AI-HF-VB能够有效地控制电流和提供稳定的功率转换。其低导通电阻和高漏极电流使其在高效能的电源管理中具有重要作用。
2. **电动车充电器**:在电动车充电系统中,需要处理高压和大电流,AP2764AI-HF-VB可用于电池充电器和DC快速充电设备,确保高效率和安全性。
3. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,AP2764AI-HF-VB可用于驱动高压电机和执行器。其可靠性和耐高压特性使其在工业环境中广泛应用。
4. **电源逆变器**:在太阳能逆变器和其他可再生能源系统中,AP2764AI-HF-VB可用于实现高效的能量转换和稳定的电力输出。
通过以上应用案例,可以看出AP2764AI-HF-VB在高压和大电流环境下的优越性能和广泛适用性,使其成为许多工业和电子设备设计中的理想选择。
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