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微碧半导体VBsemi

VBsemi专注于MOS管研发制造,致力于服务中高端市场的终端制造商

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AP03N70H-H-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AP03N70H-H-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

  • 封装 TO252
  • 沟道 Single-N

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介

AP03N70H-H-VB 是一款单路 N 沟道场效应管(N-Channel MOSFET),采用了多重外延(SJ_Multi-EPI)威廉希尔官方网站 。该器件设计用于需要高电压承受能力和适中导通电阻的应用场合,采用 TO252 封装,具备以下主要特点:

- **高电压承受能力:** 漏极-源极电压(VDS)最大可达700V,适合高压应用环境。
- **适中的导通电阻:** 在典型工作条件下,导通电阻(RDS(ON))为2400mΩ @ VGS=10V,适用于较低电流需求的场合。
- **门极阈值电压(Vth):** 3.5V,适合一般的电压控制需求。
- **低漏极电流:** 最大漏极电流(ID)为2A,适合低功率应用。

### 2. 参数说明

- **封装类型:** TO252
- **器件类型:** 单路 N 沟道场效应管
- **最大漏极-源极电压(VDS):** 700V
- **栅极-源极电压(VGS)范围:** ±30V
- **门极阈值电压(Vth):** 3.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 2400mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流(ID):** 2A
- **威廉希尔官方网站 特点:** 多重外延(SJ_Multi-EPI)威廉希尔官方网站

### 3. 应用示例

AP03N70H-H-VB 在多个领域和模块中具有广泛的应用,以下是一些典型的应用示例:

- **电源逆变器和开关电源:** 在高压电源逆变器和开关电源中,AP03N70H-H-VB 可以用作主要的开关元件,确保高效能的能量转换和稳定的电压输出,适用于工业电源和电网接入设备。

- **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中,AP03N70H-H-VB 可以用作逆变电路的关键部件,提供高效的太阳能转换和稳定的电能输出,适用于户外太阳能发电系统。

- **电动汽车充电桩:** 在电动汽车充电桩中,AP03N70H-H-VB 可以用于直流充电器的开关控制,提供高电压承受能力和低导通电阻,保证充电效率和安全性。

- **工业自动化设备:** 在工业自动化设备如PLC(可编程逻辑控制器)和工业驱动器中,AP03N70H-H-VB 可以用于电机控制和电源管理,确保设备的稳定运行和高效能的能量利用。

这些示例展示了 AP03N70H-H-VB 在不同领域和应用模块中的广泛应用,通过其高电压承受能力和优良的电性能特性,满足了各种高压和高功率应用的需求。

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