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N沟道场效应管STF6N95K5/950V/9A

型号: STF6N95K5
品牌: ST(意法)

--- 产品参数 ---

  • 型号 STF6N95K5
  • 品牌 ST意法
  • 封装 TO-220F
  • VDS 950V
  • ID 9A
  • Rds On 1.25 Ohms
  • PD 25W

--- 数据手册 ---

--- 产品详情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

产品种类:  MOSFET 

RoHS:  Yes  

威廉希尔官方网站 :  Si 

安装风格:  Through Hole 

封装 / 箱体:  TO-220-3 

晶体管极性:  N-Channel 

通道数量:  1 Channel 

Vds-漏源极击穿电压:  950 V 

Id-连续漏极电流:  9 A 

Rds On-漏源导通电阻:  1.25 Ohms 

Vgs - 栅极-源极电压:  - 30 V, + 30 V 

Vgs th-栅源极阈值电压:  5 V 

Qg-栅极电荷:  13 nC 

最小工作温度:  - 55 C 

最大工作温度:  + 150 C 

Pd-功率耗散:  25 W 

通道模式:  Enhancement 

商标名:  MDmesh 

封装:  Tube 

商标:  STMicroelectronics 

配置:  Single 

产品类型:  MOSFETs 

系列:  STF6N95K5 

包装数: 1000 

子类别:  Transistors 

晶体管类型:  1 N-Channel 

单位重量:  2 g 

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