--- 产品参数 ---
- 电压 3KV(可扩展4.5KV/6KV/8KV/10KV等)
- 电流 1KA(可扩展2KA/5KA/8KA/10KA等)
- 浪涌电流(IFSM) 200~10KA
- 分辨率 1A
- 精度 ±5%
--- 产品详情 ---
二极管正向浪涌电流测试系统ST-IFSM_X
基础信息
- 可用于各类二极管(Diode)以及可控硅(SCR)的正向浪涌电流(IFSM)试验,包括三极管(Triode)、MOSFTE、IGBT等全控器件的内置二极管
- 电压3KV(可扩展4.5KV/6KV/8KV/10KV等)电流1KA(可扩展2KA/5KA/8KA/10KA等)
- 浪涌电流(IFSM):200~10KA、分辨率1A,精度±5%
- 反向电压(VRRM):200~3000V、分辨率10V,精度±5%
- 浪涌电流(IFSM)底宽:8.3ms/60HZ、10ms/50HZ,可切换
二极管正向浪涌电流测试系统ST-IFSM_X
产品简介
- 二极管元件在实际使用中,除了能长期通过额定通态平均电流外,还应能承受一定倍数的浪涌过载电流而不致损坏,以便适应在各种应用中的要求。二极管浪涌过载电流如果超过其允许范围,轻者引起元件性能变坏(如伏安特性、通态峰值电压的变化),重者造成烧毁穿通而失去反向阻断能力。通过浪涌过载电流测试合格的器件,可以大大提高其在使用中的可靠性。
- 该产品依据JB/T7624-94《整流二极管测试方法》和JB/T7626-94《反向阻断三极管测试方法》的有关规定而设计的。该 设备线路设计简洁精练,采用自动控制,完成对电容自动充电、自动稳压,自动检测浪涌电流的实际波形和峰值,并存储保持。浪涌电流峰值由数字表显示,浪涌电流波形由波形接口输出供外接示波器观察分析。该设备具有威廉希尔官方网站 先进、性能可靠、体积小、重量轻、操作简单、测试重复性好、维修调试方便等特点,是电力半导体器件生产厂家必备的试验检测设备。
二极管正向浪涌电流测试系统ST-IFSM_X
参数指标
1.电流源发波,待测样品两极电压不应超过器件在该电流下的导通电压
2.us级方波浪涌电流(IFSM)脉宽及测试范围
10us±10%,30~3000A±3%
100us±10%,30~500A±3%
1ms±10%,30~2000A±3%
10ms±10%,30~500A±3%
3.浪涌电流波形:近似方波,从10%至90%及90%下降到10%在整个 脉宽底宽20%以内,脉宽内最大电流持续期间电流下降幅度5%以内
4.测试频率:单次/重复,当前重复浪涌需求1000次,支持固定时间间 隔发波及检测浪涌前后Vf恢复程度发波
5.浪涌电流重复间隔时间(可设定);间隔时间>2S,≤0.5Hz
6.反向阻断漏电IRRM:检测范围不小于100uA~10mA,分辨率≤100uA,误差范围不大于±3%
7.保存导通压降和导通电流。测试前后保存小电流(≤5A)测试器件静态导 通压降Vf,分辨率≤0.01V,误差≤±3%(可只用保存反馈Vf,以评估器件是否损坏或用于后续工程评估测试后节温)。可测试时间点距离浪涌结束时间越短越好
8.可以满足外接温控单元进行高温浪涌测试
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