产品
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CGHV1F006S-AMP3高电子迁移率晶体管 (HEMT)X波段测试板2022-05-18 11:14
产品型号：CGHV1F006S-AMP3 频段：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 增益：6.0 GHz 时 17 dB 增益 增益：9.0 GHz 时 15 dB 增益 校正：可应用高度 APD 和 DPD 校正 -
CGHV1F006S-AMP1高电子迁移率晶体管 (HEMT)C波段测试板2022-05-18 11:01
产品型号：CGHV1F006S-AMP1 频率：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 6.0 GHz增益：17 dB 9.0 GHz 增益：15 dB 可应用校正：可应用高度 APD 和 DPD 校正 -
CGHV1F006S高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-18 10:42
产品型号：CGHV1F006S 频率：高达 15 GHz 的操作 输出功率：8 W 典型输出功率 6.0 GHz增益：6.0 GHz 时 17 dB 增益; 9.0 GHz增益：9.0 GHz 时 15 dB 增益 校正：可应用高度 APD 和 DPD 校正 -
CMPA0060002D氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-18 10:06
产品型号：CMPA0060002D 增益：17 dB 小信号增益 工作电压：2 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压：高击穿电压 操作：高温操作 尺寸：尺寸 0.169 x 0.066 x 0.004 英寸 -
CMPA0060002F-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-18 09:44
产品型号：CMPA0060002F-AMP 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 耐压性：高击穿电压 环境：高温操作 测试件尺寸：0.5" x 0.5" 产品总尺寸 -
CMPA0060002F晶体管 (HEMT)2022-05-17 18:34
产品型号：CMPA0060002F 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压特性：高击穿电压 环境：高温操作 尺寸：0.5" x 0.5" 产品总尺寸 -
CMPA0060002F1-AMP氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-05-17 12:09
产品型号：CMPA0060002F1-AMP 增益：18 dB 小信号增益 电压：4.8 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 耐压性：高击穿电压 操作环境：高温操作 尺寸规格：0.5" x 0.5" 产品总尺寸 -
CMPA0530002S高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)2022-05-17 11:12
产品型号：CMPA0530002S 增益：18 dB 小信号增益 工作电压：2.9 W 典型 PSAT 工作电压高达 28 V 电压：高击穿电压 场景：高温操作 尺寸：尺寸 0.118 x 0.157 x 0.033 英寸 -
CMPA0060002F1高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-17 09:34
产品型号：CMPA0060002F1 增益：17 dB 小信号增益 PSAT：3 W 典型 PSAT 工作电压： 28 V 操作：高温操作 电压：高击穿电压 -
HMC652LP2E固定衰减器2022-05-17 08:00
产品型号：HMC652LP2E 固定衰减电平：2、3、4和6 dB 宽带宽： DC - 25 GHz 功率处理：+25 dBm 6引脚2x2mm S：4mm²