产品
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CGH40010P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-19 10:31
产品型号：CGH40010P 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 16 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益 PSAT功率：13 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率为 65 % -
CG2H40010F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-18 15:38
产品型号：CG2H40010F-AMP 频率：高达 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 16 dB 小信号增益 PSAT功率：17 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40010P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-18 15:35
产品型号：CG2H40010P 频率：高达 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 16 dB 小信号增益 PSAT功率：17 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40010F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-18 15:28
产品型号：CG2H40010F 频率：高达 8 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 16 dB 小信号增益 PSAT功率：17 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CGH60008D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-18 15:08
产品型号：CGH60008D-GP4 8 W 典型 PSA：8 W 典型 PSAT @ 28 V 操作 5 W 典型 PSA：5 W 典型 PSAT @ 20 V 操作 耐压性：高击穿电压 环境：高温操作 频率：高达 6 GHz 的操作 -
CGHV1J006D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-18 14:36
产品型号：CGHV1J006D-GP4 增益：17分贝典型。10 GHz 时的小信号增益 PAE：60% 典型值。10 GHz 时的 PAE Psat：6 W 典型 Psat 电压：40 伏操作 频率：高达 18GHz 的操作 -
CGH40006P-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-18 14:16
产品型号：CGH40006P-AMP 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益 PIN：PIN = 32 dBm 时典型值为 8 W 电压：28 V 操作 -
CGH40006P氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-18 14:14
产品型号：CGH40006P 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益 PIN：PIN = 32 dBm 时典型值为 8 W 电压：28 V 操作 -
CGH40006S-AMP1高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-18 12:02
产品型号：CGH40006S-AMP1 频率：高达 6 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益 PIN：PIN = 32 dBm 时典型值为 8 W 电压：28 伏操作 -
CGH40006S高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-18 11:55
产品型号：CGH40006S 频段：高达 6 GHz 增益：2.0 GHz 时 13 dB 小信号增益 增益：6.0 GHz 时 11 dB 小信号增益 PIN：PIN = 32 dBm 时典型值为 8 W 电压：28 伏