产品
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C3M0120100J碳化硅MOSFET2022-05-23 20:57
产品型号:C3M0120100J 漏源电压:1000V 栅极 -源极电压静态:-4/+15V 栅极 -源极电压动态:-8/+19V 脉冲漏极电流:50A 单脉冲:83W -
C3M0065100K碳化硅MOSFET2022-05-23 18:20
产品型号:C3M0065100K 漏源电压:1000V 栅极 -源极电压静态:-4/+15V 栅极 -源极电压动态:-8/+19V 脉冲漏极电流:90A 雪崩能量,单脉冲:110W -
CG2H40035F-AMP 高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-23 14:45
产品型号:CG2H40035F-AMP 频率:高达 6 GHz 的操作 PSAT功率:40 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率为 64% 增益:3.5 GHz 时 14 dB 小信号增益 电压:28 伏操作 -
CG2H40035F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-23 14:42
产品型号:CG2H40035F 频率:高达 6 GHz 的操作 PSAT功率:40 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率为 64% 增益:3.5 GHz 时 14 dB 小信号增益 电压:28 伏操作 -
CG2H40035P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-23 14:36
产品型号:CG2H40035P 频率:高达 6 GHz 的操作 PSAT功率:40 W 典型 PSAT PSAT效率:PSAT 的效率为 64% 增益:3.5 GHz 时 14 dB 小信号增益 电压:28 伏操作 -
C3M0065100J碳化硅MOSFET2022-05-22 22:19
产品型号:C3M0065100J 漏源电压:1000V 栅极 -源极电压静态:-4/+15V 栅极 -源极电压动态:-8/+19V 脉冲漏极电流:90A 雪崩能量,单脉冲:110mJ -
C3M0280090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:45
产品型号:C3M0280090J 漏源电压:900V 栅极 -源极电压静态:-4/+15V 栅极 -源极电压动态:-8/+19V 脉冲漏极电流:22A 功耗:49W -
C3M0120090D碳化硅MOSFET2022-05-22 21:36
产品型号:C3M0120090D 漏源电压:900V 栅极 -源极电压静态:-4/+15V 栅极 -源极电压动态:-8/+19V 脉冲漏极电流:50A 功耗:97W -
C3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 21:24
产品型号:C3M0120090J 漏源电压:900V 栅极 -源极电压静态:-4/+15V 栅极 -源极电压动态:-8/+19V 脉冲漏极电流:50A 功耗:83W -
E3M0120090J碳化硅MOSFET2022-05-22 10:54
产品型号:E3M0120090J 漏源电压::900V 栅极 -源极电压静态:-4/+15V 栅极 -源极电压动态:-8/+19V 脉冲漏极电流:50A 功耗:83W