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CG2H40045F氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-24 09:18
产品型号：CG2H40045F 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSA效率：PSAT 60% 的效率 -
CG2H40045P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-24 09:16
产品型号：CG2H40045P 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 60% 的效率 -
C3M0032120D是一款功率转换器2022-05-23 22:03
产品型号：C3M0032120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：120A 功耗：283W -
C3M0032120J1碳化硅MOSFET2022-05-23 21:57
产品型号：C3M0032120J1 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：120A 功耗：277W -
C2M0025120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:51
产品型号：C2M0025120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：200A 功耗：378W -
C3M0021120K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:43
产品型号：C3M0021120K 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：200A 功耗：469W -
C3M0021120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:30
产品型号：C3M0021120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：200A 功耗：469W -
C3M0016120K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:24
产品型号：C3M0016120K 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：250A 功耗：556W -
C3M0016120D碳化硅MOSFET2022-05-23 21:15
产品型号：C3M0016120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：250A 功耗：556W -
C3M0120100K碳化硅MOSFET2022-05-23 21:05
产品型号：C3M0120100K 漏源电压：1000V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：50A 功耗：83W