产品
-
C3M0040120D碳化硅MOSFET2022-05-24 21:09
产品型号：C3M0040120D 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：100A 功耗：326W -
C3M0040120J1碳化硅MOSFET2022-05-24 21:03
产品型号：C3M0040120J1 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：：100A 功耗：272W -
C3M0032120K碳化硅MOSFET2022-05-24 20:56
产品型号：C3M0032120K 漏源电压：1200V 栅极 -源极电压静态：-4/+15V 栅极 -源极电压动态：-8/+19V 脉冲漏极电流：120A 功耗：283W -
CG2H80045D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-24 11:21
产品型号：CG2H80045D-GP4 PSAT功率：45 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 击穿电压：高击穿电压 频率：高达 8 GHz 的操作 环境：高温操作 -
CG2H80030D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-24 10:52
产品型号：CG2H80030D-GP4 PSAT功率：30 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 耐压：高击穿电压 环境：高温操作 频率：高达 8 GHz 的操作 -
CG2H80015D-GP4高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-24 10:40
产品型号：CG2H80015D-GP4 PSAT功率：15 W 典型 PSAT 电压：28 伏操作 耐压：高击穿电压 环境：高温操作 频率：高达 8 GHz 的操作 -
CG2H40120F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-24 10:04
产品型号：CG2H40120F-AMP 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：130 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40120F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-24 10:01
产品型号：CG2H40120F 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 PSAT功率：130 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40120P高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-24 09:58
产品型号：CG2H40120P 频率：高达 2.5 GHz 的操作 增益：1.0 GHz 时 20 dB 小信号增益 增益：2.0 GHz 时 15 dB 小信号增益 典型 PSAT：130 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 70% 的效率 -
CG2H40045F-AMP高电子迁移率晶体管 (HEMT)测试板2022-05-24 09:23
产品型号：CG2H40045F-AMP 频率：高达 4 GHz 的操作 增益：2.0 GHz 时 18 dB 小信号增益 增益：4.0 GHz 时 14 dB 小信号增益 PSAT功率：55 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 60% 的效率