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CGH35060P2 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-30 11:03
产品型号：CGH35060P2 频率：3.1 – 3.5 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信号增益 排水效率：60% 排水效率 -
CGH35060P1 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-30 10:41
产品型号：CGH35060P1 频率：3.3 – 3.6 GHz 操作 峰值功率：60 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信号增益 8.0 W PAVE：8.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 8 W PAVE：8 W PAVE 时的排水效率为 25% -
CGH35015P 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-30 10:20
产品型号：CGH35015P 频率：3.3 – 3.9 GHz 操作 峰值功率：15 W 峰值功率能力 增益：12 dB 小信号增益 2.0 W PAVE：2.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 2 W 时效率：平均功率为 2 W 时效率为 26% -
CGH31240F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-30 10:03
产品型号：CGH31240F 频率：2.7 – 3.1 GHz 操作 增益：12分贝功率增益 效率：60% 功率附加效率 脉冲幅度：< 0.2 dB 脉冲幅度下降 -
CGH27060F 高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-30 09:25
产品型号：CGH27060F 频率：VHF – 3.0 GHz 操作 增益：14 dB 小信号增益 8.0 W PAVE：8.0 W PAVE 在 < 2.0% EVM 8 W漏极效率：平均功率为 8 W 时的漏极效率为 27% -
C3D08065I分立碳化硅肖特基二极管2022-05-29 21:15
产品型号：C3D08065I 重复峰值反向电压：650V 浪涌峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 重复峰值正向浪涌电流：19-29A 功耗：23.6-23.2W -
C6D08065E分立碳化硅肖特基二极管2022-05-29 21:06
产品型号：C6D08065E 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 重复峰值正向浪涌电流：34-20A 功耗：85-37W 工作结温和存储温度：-55to+175˚C -
C3D08065A分立碳化硅肖特基二极管2022-05-29 21:00
产品型号：C3D08065A 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 重复峰值正向浪涌电流：37.5-25.5A 功耗：107-46.5W 工作结温和存储温度：-55to+175˚C -
C3D08065E分立碳化硅肖特基二极管2022-05-29 20:55
产品型号：C3D08065E 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 重复峰值正向浪涌电流：34-25A 功耗：120-52W 工作结温和存储温度：-55to+175˚C -
E3D08065G分立碳化硅肖特基二极管2022-05-29 20:49
产品型号：E3D08065G 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 重复峰值正向浪涌电流：31-18A 功耗：102-44W 工作结温和存储温度：-55to+175˚C