产品
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C3D16065D1分立碳化硅肖特基二极管2022-06-01 21:39
产品型号：C3D16065D1 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 最大持续电流：16A 总电容电荷：40nC 功耗：173W -
C3D12065A分立碳化硅肖特基二极管2022-06-01 19:33
产品型号：C3D12065A 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 最大持续电流：12A 总电容电荷：34nC 功耗：143W -
C3D10065I分立碳化硅肖特基二极管2022-06-01 19:13
产品型号：C3D10065I 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 最大持续电流：16A 总电容电荷：40nC 功耗：109W -
C6D10065A分立碳化硅肖特基二极管2022-05-31 20:51
产品型号：C6D10065A 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 最大持续电流：10A 总电容电荷：35 nC 功耗：109W -
C6D10065E分立碳化硅肖特基二极管2022-05-31 20:40
产品型号：C6D10065E 重复峰值反向电压：650V 浪涌峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 非重复峰值正向浪涌电：41-24A 功耗：99-43W -
C3D10065A2022-05-31 20:32
产品型号：C3D10065A 重复峰值反向电压：650V 浪涌峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 非重复峰值正向浪涌电：90-71A 功耗：136.5-59W -
C3D10065E分立碳化硅肖特基二极管2022-05-31 20:25
产品型号：C3D10065E 重复峰值反向电压：650V 浪涌峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 非重复峰值正向浪涌电：90-71A 功耗：150-65W -
C6D10065G分立碳化硅肖特基二极管2022-05-31 20:16
产品型号：C6D10065G 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 最大持续电流：10A 总电容电荷：34 nC 功耗：108W -
C6D10065Q分立碳化硅肖特基二极管2022-05-31 20:02
产品型号：C6D10065Q 重复峰值反向电压：650V 直流阻断电压：650V 电容储能：5.2µJ 外壳和存储温度：-55 to +150°C 最高加工温度：325°C -
CGH35240F高电子迁移率晶体管 (HEMT)2022-05-30 11:12
产品型号：CGH35240F 频率：3.1 – 3.5 GHz 操作 输出功率：240 W 典型输出功率 功率增益：11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm 功率附加效率：57% 的典型功率附加效率 内部匹配：50 欧姆内部匹配