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广电计量

广电计量一家全国化、综合性的国有第三方检测机构。专注于为客户提供计量、检测、认证以及威廉希尔官方网站 咨询与培训等专业威廉希尔官方网站 服务。

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功率器件参数测试

型号: MOSFET、IGBT、DIODE、BJT
品牌: GRGTEST(广电计量)

--- 产品参数 ---

  • 测试周期: 根据标准、试验条件及被测样品量确定
  • 产品范围: MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三

--- 产品详情 ---

服务介绍

随着威廉希尔官方网站 发展,第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大,这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间。

测试周期:

根据标准、试验条件及被测样品量确定

产品范围:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块

测试项目:

静态参数符号
Drain to Source Breakdown VoltageBVDSS
Drain Leakage CurrentIDSS
Gate Leakage CurrentIGSS
Gate Threshold VoltageVGS(th)
Drain to Source On ResistanceRDS(on)
Drain to Source On VoltageVDS(on)
Body Diode Forward VoltageVSD
Internal Gate ResistanceRg
Input capacitanceCies
Output capacitanceCoes
Reverse transfer capacitanceCres
Transconductancegfs
Gate to Source Plateau VoltageVgs(pl)
动态参数符号
Turn-on delay timetd(on)
Rise timetr
Turn-off delay timetd(off)
Fall timetf
Turn-on energyEon
Turn-off energyEoff
Diode reverse recovery timetrr
Diode reverse recovery chargeQrr
Diode peak reverse recovery currentIrrm
Diode peak rate of fall of reverse
recovery current
dirr/dt
Total gate chargeQG
Gate-Emitter chargeQGC
Gate-Collector chargeQGE
其他参数符号
thermal resistanceRth
Unclamped Inductive SwitchingUIS
Reverse biased safe operating areaRBSOA
Short circuit safe operation areaSCSOA

 

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