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IMBF170R1K0M1XTMA1 1850PCS 鹏和深圳库存 现货热卖
| FET 类型 | N 通道 | |
| 威廉希尔官方网站 | SiCFET（碳化硅） | |
| 漏源电压（Vdss） | 1700 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 12V，15V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1000毫欧 @ 1A，15V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5.7V @ 1.1mA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5 nC @ 12 V | |
| Vgs（最大值） | +20V，-10V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 275 pF @ 1000 V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 68W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-7-13 | |
| 封装/外壳 | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA | |
| 基本产品编号 | IMBF170 |
