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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C3D02060E分立碳化硅肖特基二极管

二极管 晶体管
型号： C3D02060E

--- 产品参数 ---

  • 漏源电压 600V
  • 浪涌峰值反向电压 600V
  • 直流阻断电压 600V
  • 二极管dV/dt耐用 200V/ns
  • 功耗 39.5W
  • 工作结温和存储温度 -55to+175˚C

--- 产品详情 ---

C3D02060E为1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。业内最广泛的 1200 V SiC MOSFET 产品组合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化，可用于 UPS 等大功率应用；电机控制和驱动；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC 转换器；和更多。基于第三代威廉希尔官方网站 ；各种各样的导通电阻和封装选项使设计人员能够为他们的应用选择正确的部件。将的 1200 V 碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET 配对，为要求苛刻的应用创造了更高效率的强大组合。

C3D02060E

优点
• 用单极整流器代替双极
• 基本上没有开关损耗
• 更高的效率
• 降低散热器要求
• 没有热失控的并行器件


特征
• 600 伏肖特基整流器
• 针对 PFC 升压二极管应用进行了优化
• 零反向恢复电流
• 零正向恢复电压
• 高频操作
• 与温度无关的开关行为
• 极快的切换
• VF 上的正温度系数


应用
• 开关模式电源 (SMPS)
• PFC 或 DC/DC 级中的升压二极管
• 逆变器级中的续流二极管
• AC/DC 转换器

 

漏源电压:600V
浪涌峰值反向电压：600V
直流阻断电压：600V
功耗：39.5W
二极管 dV/dt 耐用性：200V/ns
工作结温和存储温度:-55to+175˚C


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