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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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C3M0160120J碳化硅MOSFET

碳化硅MOSFET
型号： C3M0160120J

--- 产品参数 ---

  • 漏源电压 1200V
  • 栅极-源极电压动态 -8/+19V
  • 栅极-源极电压静态 -4/+15V
  • 脉冲漏极电流 34A
  • 功耗 90W
  • 工作结温和存储温度 -55to +150˚C
  • 焊接温度 260˚C

--- 产品详情 ---

C3M0160120J为1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。业内最广泛的 1200 V SiC MOSFET 产品组合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列经过优化，可用于 UPS 等大功率应用；电机控制和驱动；开关电源；太阳能和储能系统；电动汽车充电；高压 DC/DC 转换器；和更多。基于第三代威廉希尔官方网站 ；各种各样的导通电阻和封装选项使设计人员能够为他们的应用选择正确的部件。将的 1200 V 碳化硅二极管与碳化硅 MOSFET 配对，为要求苛刻的应用创造了更高效率的强大组合。

C3M0160120J


优点
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率

 

特征
• 第三代 SiC MOSFET 威廉希尔官方网站
• 具有驱动源引脚的低阻抗封装
• 漏极和源极之间的爬电距离为 7mm
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 无卤素，符合 RoHS 标准


应用
• 再生能源
• 高压 DC/DC 转换器
• 开关模式电源
• UPS


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