FCB260N65S3 N沟道SuperFET

SuperFET
III MOSFET是安森美半导体的全新高压超结（SJ）MOSFET系列，利用均衡威廉希尔官方网站 实现出色的低导通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进威廉希尔官方网站 专为最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和极高的dv / dt速率而定制。因此，SuperFET III MOSFET非常适用于各种小型化和高效率的电源系统。超级MOSFET III FRFET
MOSFET的优化反向恢复性能体二极管可以去除额外的元件并提高系统可靠性。 700 V @ T = 150°C 低效输出电容（典型值Coss（eff。） = 248 pF） 超低栅极电荷（典型值Qg = 24 nC） 内部栅极电阻：8.7ohm 优化电容 典型。 R =222mΩ 100％雪崩测试 符合RoHS标准 波峰焊保证 < / DIV>