HMC787A GaAs MMIC基波混频器，3 - 11 GHz

优势和特点

• 转换损耗：典型值9 dB（3 GHz至9 GHz时）
• 本振(LO)至射频(IF)隔离：典型值43 dB（3 GHz至9 GHz时）
• RF至中频(IF)隔离：典型值26 dB（3 GHz至9 GHz时）
• 输入三阶交调截点(IP3)：典型值24 dBm（3 GHz至9 GHz时）
• 输入1 dB压缩点(P1dB)：典型值17 dBm（3 GHz至9 GHz时）
• 输出二阶交调截点(IP2)：典型值67 dBm（3 GHz至9 GHz时）
• 无源双平衡拓扑结构
• 宽IF频率范围：DC至4 GHz
• 12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装

产品详情

HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能，采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊，与高容量表贴制造威廉希尔官方网站 兼容。

应用

• 微波无线电
• 工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
• 测试设备和传感器
• 军用最终用途

方框图