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电子发烧友 > 产品频道 > 产品详情

CSD18510Q5B 40V N 沟道 NexFET 功率 MOSFET

数据： CSD18510Q5B N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表

描述

这款采用5mm×6mm SON封装的40V，0.79mΩ，NexFET™功率MOSFET的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。

特性

低R _DS（ON）
低热阻
雪崩额定值
逻辑电平
无铅引脚镀层
符合RoHS环保标准
无卤素

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管


VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level

CSD18510Q5B	CSD18510KCS	CSD18510KTT	CSD18511Q5A	CSD18512Q5B	CSD18513Q5A	CSD18514Q5A
40	40	40	40	40	40	40
Single	Single	Single	Single	Single	Single	Single
1.6	2.6	2.6	3.5	2.3	5.3	7.9
0.96	1.7	1.7	2.3	1.6	3.4	4.9
400	400	400	400	400	400	237
118	119	119	63	75	45	29
21	21	21	11.2	13.3	8.8	5
SON5x6	TO-220	D2PAK	SON5x6	SON5x6	SON5x6	SON5x6
20	20	20	20	20	20	20
1.7	1.7	1.7	1.8	1.6	1.8	1.8
300	274	274	159	211	124	89
100	200	200	100	100	100	50
Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes	Yes

威廉希尔官方网站文档

数据手册（1）

CSD18510Q5B N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表

元器件购买 CSD18510Q5B 相关库存

MOSFETs

型号：CSD18510Q5B 封装：VSON-CLIP8

品牌：TI 描述：MOS管 N-Channel VDS=40V VGS=±20V ID=300A P=156W VSON-CLIP8

金额：￥15.82718
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