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数据： CSD18509Q5B N 通道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. A)
这个40V，1mΩ，SON5x6 NexFET™功率MOSFET的设计旨在追求以最大限度降低功率转换应用中的功率损耗。
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| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD18509Q5B |
|---|
| 40 |
| Single |
| 1.7 |
| 1.2 |
| 400 |
| 150 |
| 17 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.9 |
| 299 |
| 100 |
| Yes |
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