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数据： CSD17570Q5B 30V N 沟道 NexFET功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 数据表 (Rev. D)
这款30V，0.56mΩ，SON 5mm×6mmNexFET™功率MOSFET用于最大限度地减小ORing和热拔插应用的电阻，不可用于开关应用。
所有商标均为其各自所有者的财产。
| VDS (V) |
| Configuration |
| Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms) |
| Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms) |
| IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A) |
| QG Typ (nC) |
| QGD Typ (nC) |
| Package (mm) |
| VGS (V) |
| VGSTH Typ (V) |
| ID, Silicon limited at Tc=25degC (A) |
| ID, package limited (A) |
| Logic Level |
| CSD17570Q5B |
|---|
| 30 |
| Single |
| 0.92 |
| 0.69 |
| 400 |
| 93 |
| 34 |
| SON5x6 |
| 20 |
| 1.5 |
| 407 |
| 100 |
| Yes |
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