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CSD19502Q5B N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD19502Q5B

数据:

描述

这款3.4mΩ,80V,SON 5mm x 6mm NexFET™功率MOSFET被设计成功转换应用中大降低损耗。

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特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低热阻
  • 雪崩额定值
  • 逻辑电平
  • 无铅引脚镀层
  • 符合RoHS环保标准
  • 无卤素
  • SON 5mm×6mm塑料封装

所有商标均为其各自所有者的财产。

参数 与其它产品相比 N 通道 MOSFET 晶体管

 
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD19502Q5B CSD19501KCS CSD19503KCS CSD19505KCS CSD19506KCS
80     80     80     80     80    
Single     Single     Single     Single     Single    
4.1     6.6     9.2     3.1     2.3    
400     305     247     400     400    
48     38     28     76     120    
8.6     5.8     5.4     11     20    
SON5x6     TO-220     TO-220     TO-220     TO-220    
20     20     20     20     20    
2.7     2.6     2.8     2.6     2.5    
157     129     94     208     273    
100     100     100     150     150    
No     No     No     No     No    

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