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| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 型号 | STPSC10H065B-TR |
| 制造商 | STMicroelectronics |
| Mfr | STMicroelectronics |
| 系列 | - |
| 包装 | 卷盘 |
| 零件状态 | Active |
| Diode 类型 | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (最大) | 650V |
| Current - Average Rectified (Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (最大) @ If | 1.75V @ 10A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 650V |
| 点容 @ Vr, F | 480pF @ 0V, 1MHz |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 工作温度 - Junction | -40°C ~ 175°C |
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