非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 (Flash Memory) 与只读存储器 (Read-Only Memory)。其中,快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:1513 来源:满天芯,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 据韩媒报道,三星计划在本月至下月同主要移动端、PC 端、服务器端客户就NAND闪存价格重新谈判,目标涨价15~20%。经历一年多的供过于求之后,三星
2024-03-19 09:31:57115 年报显示,公司营业收入首次突破4000亿元大关,达4009亿元,同比增长 22.01%;归母净利润为441亿元,同比增长43.58%。
2024-03-18 15:28:49350 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22217 三星电子,全球半导体产业的领军企业,近期在其位于中国西安的NAND闪存工厂实现了开工率的显著回升,从去年的低谷20-30%提升至目前的70%。这一变化不仅反映了三星电子对市场趋势的敏锐洞察和快速响应,也凸显了中国智能手机市场回暖以及全球半导体库存调整对产业链上游的积极影响。
2024-03-14 12:32:26317 据最新报道,全球领先的NAND闪存制造商铠侠已决定重新审视其先前的减产策略,并计划在本月内将开工率提升至90%。这一策略调整反映出市场需求的变化和公司对于行业发展的积极预期。
2024-03-07 10:48:35263 潘建成表示,群联当前正面临供应短缺问题,若NAND闪存制造商以合理价格提供稳定的供应,将有助于缓解群联的困境。他认为,原厂扩大产能,有利于维护NAND市场秩序,使价格合理回归,否则过高的涨势会打压下游厂商需求。
2024-03-05 14:05:0481 据统计,铠侠是全球第二大NAND芯片制造商,市场份额约为15%-20%,紧随其后的是韩国的三星。面对之前NAND报价持续下跌的困境,铠侠率先采取了减产策略,幅度达到了三成。
2024-03-05 09:23:51143 行动计划》
深圳市提出在鸿蒙原生应用发展上的具体目标:在2024年内实现深圳市鸿蒙原生应用数量占全国总量10%以上;深圳市主要垂域实现鸿蒙原生应用全覆盖;鸿蒙开发课程进入深圳市主要高校和培训机构,取得
2024-03-04 21:42:55
如题,了解头部企业
2024-03-02 15:53:42
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是现在市场上两种主要的闪存威廉希尔官方网站
。Intel于1988年首先开发出 NOR Flash 威廉希尔官方网站
,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下
2024-03-01 17:08:45158 NAND闪存作为如今各种电子设备中常见的非易失性存储器,存在于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器和智能手机存储等器件。而随着电脑终端、企业存储、数据中心、甚至汽车配件等应用场景要求的多样化
2024-02-05 18:01:17418 江波龙首颗自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日问世。该产品采用BGA132封装,支持Toggle DDR模式,数据访问带宽可达400MB/s,将有望应用于eMMC、SSD等产品上。
2024-02-01 15:08:48361 )和NAND(NAND Flash Memory)。 eMMC是一种嵌入式多媒体控制器,它为移动设备(如智能手机和平板电脑)提供了一种高性能的存储解决方案。它包括一个闪存控制器、一个NAND闪存芯片和一些
2024-01-08 13:51:46597 什么是SD NAND?它俗称贴片式T卡,贴片式TF卡,贴片式SD卡,贴片式内存卡,贴片式闪存卡,贴片式卡...等等。虽然SD NAND 和TF卡称呼上有些类似,但是SD NAND和TF卡有着本质上的区别。
2024-01-06 14:35:57861 NAND介绍
什么是SD NAND?它俗称贴片式T卡,贴片式TF卡,贴片式SD卡,贴片式内存卡,贴片式闪存卡,贴片式卡...等等。虽然SD NAND 和TF卡称呼上有些类似,但是SD NAND和TF
2024-01-05 17:54:39
NAND产品中,同样代表市场行情的256Gb TLC,第四季度单价为1.85美元左右,相比三季度上涨12%。
2023-12-26 13:54:3199 NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
2023-11-30 13:53:20734 增加3D(三维)NAND闪存密度的方法正在发生变化。这是因为支持传统高密度威廉希尔官方网站
的基本威廉希尔官方网站
预计将在不久的将来达到其极限。2025 年至 2030 年间,新的基础威廉希尔官方网站
的引入和转化很可能会变得更加普遍。
2023-11-30 10:20:26243 据报道,韩国SK集团于2020年斥资400亿韩元收购当地锦湖石化的电子材料业务,收购后成立的新子公司SK Materials Performance(SKMP)已开发出一种高厚度KrF光刻胶,并通过了SK海力士的性能验证,这将有利于SK海力士3D NAND闪存的威廉希尔官方网站
开发。
2023-11-29 17:01:56433 全社会用电量的比重达到11%左右,后续逐年提高,确保2025年非化石能源消费占一次能源消费的比重达到20%左右。2022年8月,工业和信息化部办公厅等三部门印发《关于促进光伏产业链供应链协同发展的通知
2023-11-21 16:07:04
目前,Marvell以自主开发或外包的方式,为掌握nand闪存ic市场而展开竞争。因此,Marvell在企业市场上的运营受到了影响,Marvell正在缩小相关团队。
2023-11-17 10:28:48362 铠侠公司为应对存储芯片价格的持续下跌,从2022年10月开始采取了将晶片减产30%的措施。2023年q3的nand闪存价格将比q2上涨5%至9%,出货量将比前一个月减少10至14%。以美元为准,nand闪存价格将比前一个月上涨0至4%。
2023-11-15 10:17:03335 但是,存储芯片大企业的价格已经出现上涨迹象。还有外电报道说,已经从dram开始的存储器价格上升趋势正在扩大到nand闪存。
2023-11-13 14:53:28487 2021年至2027年,以百万计为单位的NAND晶圆复合年均增长率(CAGR)为3%(见图3),其中,汽车应用增长最快,CAGR为20%;其次则是数据中心,其CAGR为13%。
2023-11-06 12:38:24395 奇瑞集团10月份销售汽车200,313辆,同比增长50.8%;单月销量首次突破20万辆,再次刷新纪录。近4个月以来,奇瑞集团已连续跨越15万、17万、19万和20万的单月销量新台阶。1-10月份
2023-11-06 09:52:23198 三星采取此举的目的很明确,希望通过此举逆转整个闪存市场,稳定NAND闪存价格,并实现明年上半年逆转市场等目标。
2023-11-03 17:21:111214 值得注意的是,信达证券此前援引行业消息称,近日三星向客户公布Q4官价,MobileDRAM合约价环比涨幅预估将扩大至11%-25%;NAND Flash方面,UFS4.0涨幅约2%左右,eMCP、uMCP涨幅不等,平均涨幅20%以上,最高涨幅高达66%。
2023-11-03 15:54:34370 根据近日三星向客户公布的四季度官价,移动DRAM合约价环比涨幅在11%-25%左右。NAND闪存方面,UFS4.0涨幅约2%,eMCP、uMCP涨幅不等,平均涨幅20%以上,最高涨幅高达66%。
2023-11-03 15:37:32281 这是国内半导体业界多名消息人士透露的。据悉,三星继本季度将nand闪存价格上调10%至20%后,还决定明年第1、2季度也按季度上调20%。这是为了稳定nand型价格和实现明年上半年市场逆转目标而采取的措施。
2023-11-03 12:22:311025 ds18b20的分辨率是什么意思??
2023-11-03 07:42:59
据多名半导体业界消息人士称,三星继本季度将nand闪存价格上调10至20%后,决定明年第一季度和第二季度也分别上调20%。三星电子正在努力稳定nand闪存价格,试图在明年上半年逆转市场。
2023-11-02 10:35:01523 51单片机中unsigned short占多少字节
2023-10-27 07:02:12
从2024年第四季度开始,DRAM和NAND闪存的价格将全面上涨,这已经导致国内存储器下游企业的闪存采购成本上涨了近20%,而内存采购成本上涨了约30%。
2023-10-17 17:13:49793 中芯国际方面表示:“nand闪存凭借较高的单元密度和存储器密度、快速使用和删除速度等优点,已成为广泛使用在闪存上的结构。”目前主要用于数码相机等的闪存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265 三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一,在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下,在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响,三星nand的销量增加,从而使亏损扩大。
2023-10-16 14:36:00832 据韩国贸易部16日公布的资料显示,韩国9月份的nand闪存出口额比去年同期增加了5.6%,但8月份减少了8.9%。存储器半导体业界的另一个支柱——3.3354万dram的出口在同期减少了24.6%。这比上个月的35.2%有所减少。
2023-10-16 14:17:21244 根据专利摘要,本发明实际公开了nand闪存芯片的测试样本,测试样本由多个相同的样本区域组成,每个样本区域包含多个相邻的数据块。相邻的几个数据块会测试不同的擦除次数。在多个相同的样本区域中,任意两个相邻的样本区域之间的间隔预先设定相邻数据块的数量。
2023-10-13 09:47:33313 目前,NOR FLASH和NAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存威廉希尔官方网站
,但是据我了解,还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00471 避难是在智能手机、电脑、数据中心等使用储存装置“nand闪存”的企业,由于存储器市场的需求减少,企业纷纷减产,因此预计到2024年以后需求才会恢复。
2023-09-22 10:13:24683 业内人士说:“nand闪存价格将比dram快反弹”,“nand闪存供应商们的赤字继续扩大,因此销售价格正在接近生产成本,供应商们为了维持运营,扩大减产,价格停止下跌,反弹率领的”。
2023-09-11 14:56:17508 闪存芯片是非挥发存储芯片,广泛用于电子产品,特别是如数码相机、MP3播放器、手机、全球定位系统(GPS)、高端笔记本电脑和平板电脑等移动电子产品的存储应用。
2023-09-11 09:32:31833 没有SPI-Nand, NAND 无法启动
2023-09-06 06:24:06
nuc980裸机程序超过1个block如何下载到spi nand?
2023-09-04 06:59:21
请问N9H20有没有同时使用SD卡和NAND的范例?
我想把SD卡里面的文件拷贝到NAND里面去。
2023-09-04 06:32:06
三星业绩近期表现非常差,三星为了增强NAND闪存竞争力计划在2024年升级其NAND核心设备供应链。
2023-08-30 16:10:02192 自20世纪60年代首次生产出集成逻辑门以来,各种数字逻辑电路威廉希尔官方网站
层出不穷。本次实验将研究晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路逆变器(非门)和2输入NAND门配置。
2023-08-28 16:36:23531 超过 300 层;采用双层堆栈架构。 而SK海力士则计划在2025 年上半年量产三层堆栈架构的321层NAND 闪存。
2023-08-21 18:30:53281 三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为,三星的nand闪存产量可能会减少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1业绩中,由于市场持续低迷,三星电子正式公布了存储器减产计划。
2023-08-16 10:23:58423 SK海力士宣布将首次展示全球首款321层NAND闪存,成为业界首家开发出300层以上NAND闪存的公司。他们展示了321层1Tb TLC 4D NAND闪存的样品,并介绍了开发进展情况。
2023-08-10 16:01:47704 据《电子时报》报道,三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元,比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示,由于上下nand闪存的库存缓慢,很难说服上调价格。
2023-08-02 11:56:24762 在当今科技时代,数据存储需求急剧增长,NAND闪存威廉希尔官方网站
作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来,虚拟SLC(pSLC)闪存威廉希尔官方网站
的引入,为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨pSLC闪存
2023-08-02 08:15:35790 在当今科技时代,数据存储需求急剧增长,NAND 闪存威廉希尔官方网站
作为一种关键的非易失性存储解决方案持续发展。近年来,虚拟 SLC(pSLC)闪存威廉希尔官方网站
的引入,为数据存储领域带来了新的创新。本文将探讨 pSLC 闪存的原理、优势以及在不同领域中的应用。
2023-08-01 11:15:471559 官方网站:深圳市雷龙发展有限公司
目前雷龙发展代理的 SD NAND 已可在立创商城搜索到,其详情页也附有手册。
芯片简介
芯片外观及封装
实拍图:
根据官方文档介绍,此款芯片采用 LGA-8
2023-07-28 16:23:18
SK海力士收购Intel NAND闪存业务重新组建的Solidigm公司非常活跃,最近披露了其近期NAND、SSD规划路线图,预计2023年上半年陆续落地。
2023-07-24 17:06:29902 对 NAND 存储器的需求也大幅增加。从移动或便携式固态硬盘到数据中心,从企业固态硬盘再到汽车配件, NAND 闪存的应用领域和使用场景愈发多样化,各种要求也随之出现,常见的譬如更高的读写速度、最大化的存储容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424 随着游戏产业和数据中心的蓬勃发展,全球 NAND 市场正呈扩张之势。而由于新冠疫情的爆发,人们更多选择远程办公和在线课程,对数据中心和云服务器的需求随之增长
2023-07-24 14:42:48808 长江存储已经将3D NAND闪存做到了232层堆叠,存储密度15.47Gb每平方毫米,而且传输速度高达2400MT/s,妥妥的世界第一,结果被美国一直禁令给拦住了,死死限制在128层,但我们肯定不会坐以待毙。
2023-07-20 09:44:311233 基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案,采用了232层3D TLC NAND闪存;速度提升很大,可以达到最高
2023-07-19 19:02:21864 苹果闪存和SSD都基于闪存威廉希尔官方网站
,但存在一些细微差别。苹果闪存是专为苹果产品而开发的,使用NAND(非易失性闪存)芯片威廉希尔官方网站
,而SSD可以是通用的,采用不同类型的闪存芯片,如NAND、MLC(多级单元)或TLC(三级单元)。
2023-07-19 15:21:372102 NAND闪存,所有主要闪存制造商都在积极采用各种方法来降低闪存的每位成本,同时创造出适用于各种应用的产品。闪存制造商还在积极展开研究,期望能够扩展3D NAND闪存的垂直层数。虽然15nm似乎是NAND闪存目前能够达到的最小节点,但开发者
2023-07-18 17:55:02486 随着密度和成本的飞速进步,数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此,与半导体行业的其他产品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203 NAND闪存是一种电压原件,靠其内存电压来存储数据。
2023-07-12 09:43:211444 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:291744 闪存存储设备:NAND芯片作为主要的闪存存储媒介,被广泛用于固态硬盘(SSD)、USB闪存驱动器、内存卡(如SD卡、MicroSD卡)和闪存盘等。
2023-06-28 16:25:495201 本文转自公众号,欢迎关注 开放NAND闪存接口ONFI介绍 (qq.com) 一.前言 ONFI即 Open NAND Flash Interface, 开放NAND闪存接口.是一个由100多家
2023-06-21 17:36:325865 据市场调查机构watch faces公布的最新数据显示,苹果公司的苹果手表到2022年的年销量达5390万部,首次突破5000万台。
2023-06-15 10:19:221065 3D NAND闪存是一种把内存颗粒堆叠在一起解决2D或平面NAND闪存限制的威廉希尔官方网站
。这种威廉希尔官方网站
垂直堆叠了多层数据存储单元,具备卓越的精度,可支持在更小的空间内,容纳更高的存储容量,从而有效节约成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727 nuc980裸机程序超过1个block如何下载到spi nand?
2023-06-13 08:18:28
238层NAND闪存作为世界上最小体积的芯片,生产效率比上一代的176层提升了34%,成本竞争力得到了大幅改善。
2023-06-11 14:32:54492 内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区,硬盘的一个扇区也为512
2023-06-10 17:21:001982 NAND 存储器制造商三星和 SK 海力士已寻求将 NAND 闪存价格提高 3%-5% 以试探市场反应,并表示 NAND 闪存的价格已降至可变成本以下。 2. 日媒:苹果Vision Pro 给电子
2023-06-09 12:01:041114 SK海力士收购Intel NAND闪存业务重组而来的Solidigm,就发布了一款QLC闪存的企业级产品P5-D5430,可以说是QLC SSD的一个代表作。
2023-06-09 10:41:43489 sk海力士表示:“以238段nand闪存为基础,开发了智能手机和pc用客户端ssd (client ssd)解决方案产品,并于5月开始批量生产。该公司通过176层、238层的产品,在成本、性能、品质等方面确保了世界最高的竞争力。
2023-06-08 10:31:531564 任何人都可以帮助我面对像 lpc4337 闪存中的 sector13 一样无法将超过 8K 的数据写入 64k 的问题吗?即使是 64K 容量的扇区在闪存写入期间也只允许 8k 数据。
如果我提供
2023-06-08 06:39:37
全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺,这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。
2023-05-30 11:13:46324 自20世纪60年代首次生产出集成逻辑门以来,各种数字逻辑电路威廉希尔官方网站
层出不穷。本次实验将研究晶体管-晶体管逻辑(TTL)电路逆变器(非门)和2输入NAND门配置。
2023-05-29 14:19:23395 NAND闪存上的位密度随着时间的推移而变化。早期的NAND设备是单层单元(SLC)闪存。这表明每个闪存单元存储一个位。使用多层单元(MLC),闪存可以为每个单元存储两个或更多位,因此位密度会增加
2023-05-25 15:36:031193 我想知道是否有人在 RT1052 或类似的东西上使用过 NAND FLASH。
因为我试图将它包含在我的 PCB 中而且我看到 RT1052 支持它但我没有看到任何关于它的示例。
2023-05-18 06:53:45
我试图让 RT1052 从外部 QSPI NAND 闪存 W25N01GVZEIG 启动。我们选择了RT1050参考手册中提到的这个NAND flash。我还附上了数据表。
我还使用 NXP MCU
2023-05-12 07:55:18
Semiconductor。 X-NAND 相信去年的闪存峰会上,除了铠侠、SK海力士、长江存储、三星等大厂所做的威廉希尔官方网站
分享外,大家也都注意到了这家名为NEO Semiconductor的初创企业。这是一家专为NAND闪存和DRAM内存开发创新架构的厂商,其去年推出的X-NAND第二代威廉希尔官方网站
,允许3D NAND闪存
2023-05-08 07:09:001982 - 我的任务是找出根本原因并解决基于 imx28 的定制设计板中的问题。
- imx28 无法从 NAND 启动并进入 USB 恢复模式。
- 将 NAND 闪存更改为不同的 NAND 闪存后
2023-04-27 06:50:47
我正在尝试启动 IMX6ULL NAND 闪存。供您参考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功启动了 IMX6ULL NAND 闪存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
对于我们的项目,我们将 QSPI 闪存连接到以下引脚: 而我们的板子会使用qspi flash作为默认的启动源,不会有任何其他的启动设备。在此配置中,我们应该如何处理 BOOT_CFG 引脚?从
2023-04-17 08:50:47
众所周知,铠侠公司发明了NAND Flash。公司凭借其领先的三维(3D)垂直闪存单元结构BiCS FLASH,让公司闪存的密度在市场中名列前茅。与此同时,铠侠还是第一个设想并准备将SLC威廉希尔官方网站
成功迁移到MLC、再从MLC迁移到TLC、现在又从TLC迁移到QLC的行业参与者。
2023-04-14 09:17:03796 的答案。当答案超过 20 个字节长时,我收到警告消息:W (591392) BT_GATT:属性值太长,将被截断为 20特征是这样定义的(超过 20 个字节)。[任务蓝牙
2023-04-14 07:49:06
今天,魅族正式发布了魅族 20 系列新品,包括:魅族 20、魅族 20 Pro 以及“超大杯”魅族 20 INFINITY 无界版。此次新品全系搭载了第二代骁龙8移动平台,不仅拥有强悍的性能,在显示、影像、通信等方面也实现了全方位突破,它究竟会给我们带来哪些惊喜呢?一起来看下。
2023-03-31 09:31:191940 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:392147 大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我对内存使用有一些疑问: XIP 是否通过 QSPI 支持 NAND 闪存?如果 IMXRT1170 从 NAND 闪存启动,则加载程序必须将应用程序复制到
2023-03-29 07:06:44
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