英飞凌推出1200 V碳化硅MOSFET威廉希尔官方网站 ，助力电源转换设计达到前所未有的效率和性能

　　2016年5月10日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出革命性的碳化硅（SiC）MOSFET威廉希尔官方网站 ，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET具备更大灵活性，可提高效率和频率。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。

　　英飞凌工业功率控制事业部总裁Helmut Gassel博士指出：“20多年来，英飞凌一直走在开发SiC解决方案的最前列，致力于满足用户对节能、缩减尺寸、系统集成和提高可靠性的需求。英飞凌制造出数百万件含有SiC器件的产品，而我们的肖特基二极管和J-FET威廉希尔官方网站 使设计人员能够实现利用传统芯片不可能达到的功率密度和性能。该解决方案现在朝前迈出了一大步，将功率MOSFET涵盖在内，这使得从SiC威廉希尔官方网站 获得的益处将被提升到前所未有的新水平。”

　　SiC MOSFET带来的影响非常显著。电源转换方案的开关频率可达到目前所用开关频率的三倍或以上。这能带来诸多益处，如减少磁性元件和系统外壳所用的铜和铝两种材料的用量，便于打造更小、更轻的系统，从而减少运输工作量，并且更便于安装。新解决方案有助于节能的特点由电源转换设计人员来实现。这些应用的性能、效率和系统灵活性也将提升至全面层面。

　　全新1200 V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200 V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。

　　该MOSFET完全兼容通常用于驱动IGBT的+15 V/-5 V电压。它们将4 V基准阈值额定电压（Vth）与目标应用要求的短路鲁棒性和完全可控的dv/dt特性结合起来。与Si IGBT相比的关键优势包括：独立于温度的开关损耗和无阈值电压的静态特性。

　　全新MOSFET融汇了多年SiC半导体开发经验，基于先进的沟槽半导体工艺，代表着英飞凌CoolSiC 产品家族的最新发展。该产品系列包括肖特基二极管和1200 V J-FET器件以及在一个模块中集成Si IGBT和SiC二极管的一系列混合解决方案。

　　首款分立式1200 V CoolSiC MOSFET的导通电阻（RDS（ON））额定值为45 mΩ。它们将采用3引脚和4引脚TO-247封装，针对光伏逆变器、UPS、电池充电和储能应用。由于集成了反向恢复损耗接近零的耐用型体二极管，所以这两种型号的器件都可供用于同步整流方案。4引脚封装有一个额外的源极连接端子（Kelvin），作为门极驱动电压的参考电位。通过消除由于源极电感引起的压降的影响，这可以进一步降低开关损耗，特别是在更高开关频率时。

　　另外，英飞凌还宣布推出基于SiC MOSFET威廉希尔官方网站 的1200 V‘Easy1B’半桥和升压模块。这些模块采用PressFIT连接，有良好的热界面、低杂散电感和坚固的设计，每种封装的模块均有11 mΩ和23 mΩ的RDS（ON）额定值选项。

　　英飞凌亮相PCIM 2016

　　在PCIM 2016（2016年纽伦堡电力电子系统及元器件展）展会上，英飞凌将在9号馆412号展位（德国纽伦堡，2016年5月10日-12日）展示实现工业、消费和汽车应用领域高效系统的前沿威廉希尔官方网站 。