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电子发烧友网>电源/新能源>电源新闻>GlobalFoundries开始安装20nm TSV设备

GlobalFoundries开始安装20nm TSV设备

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2017-02-11 16:08:11660

16nm/10nm/7nm处理器差距有多大?为你解答

我们要先搞清楚什么是制程。那些20nm、16nm什么的到底代表了什么。其实这些数值所代表的都是一个东西,那就是处理器的蚀刻尺寸,简单的讲,就是我们能够把一个单位的电晶体刻在多大尺寸的一块芯片上。
2017-07-05 09:24:482962

GlobalFoundries 22nm工艺中国上海复旦拿下第一单

AMD剥离出来的代工厂GlobalFoundries(经常被戏称为AMD女友)近日迎来好消息,上海复旦微电子已经下单采纳其22nm FD-SOI工艺(22FDX)。
2017-07-11 08:56:22912

轨到轨输入/输出20 MHz的运算放大器TSV991/TSV992/TSV994

The TSV99x and TSV99xA family of single, dual, and quad operational amplifiers offers low voltage
2017-09-04 14:51:1812

通用输入/输出轨到轨低功耗操作放大器TSV321/TSV358/TSV324/TSV321A/TSV358A/TSV324A

The TSV358, TSV358A, TSV324, and TSV324A (dual and quad) devices are low voltage versions of the LM358 and LM324 commodity operational amplifiers.
2017-09-05 09:12:306

高功因数(1.15兆赫为45微米)cmos运算放大器TSV521/TSV522/TSV524/TSV521A/TSV522A/TSV524A

The TSV52x and TSV52xA series of operational amplifiers offer low voltage operation and rail-torail
2017-09-05 09:52:585

轨到轨输入/输出,29µ,420 kHz的CMOS运算放大器TSV62x,TSV62xA

The TSV622, TSV622A, TSV623, TSV623A, TSV624, TSV624A, TSV625, and TSV625A dual and quad operational amplifiers offer low voltage
2017-09-05 10:58:254

轨到轨输入/输出29µ420 kHz的CMOS运算放大器TSV620,TSV620A,TSV621,TSV621A

The TSV620, TSV620A, TSV621, and TSV621A are single operational amplifiers offering low voltage, low power operation
2017-09-05 11:01:536

20nm威廉希尔官方网站 的发展应景

  20nm会延续摩尔定律在集成上发展趋势,但是要付出成本代价。2.5D封装威廉希尔官方网站 的发展,进一步提高了集成度,但是也增大了成本,部分解决了DRAM总线电源和带宽问题,在一个封装中集成了种类更多的IC。随着系统性能的提高,这一节点也增加了体系结构的复杂度。目前为止,它也是功耗管理最复杂的节点。
2017-09-15 09:54:3010

赛灵思业界20nm威廉希尔官方网站 首次投片标志着UltraScale架构时代来临

在28nm威廉希尔官方网站 突破的基础上,赛灵思又宣布推出基于20nm节点的两款业界首创产品。赛灵思是首家推出20nm商用芯片产品的公司。此外,该新型器件也是赛灵思将向市场推出的首款采用UltraScale威廉希尔官方网站
2018-01-12 05:49:45706

南亚科完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,重返PC市场

台塑集团旗下DRAM大厂南亚科威廉希尔官方网站 能力大跃进,完成首颗自主研发的20nm制程8Gb DDR4 DRAM,并通过个人电脑(PC)客户认证,本月开始出货,为南亚科转攻利基型DRAM多年后,再度重返个人电脑市场,明年农历年后将再切入服务器市场,南亚科借此成为韩系和美系大厂之后,另一稳定供货来源。
2018-08-28 16:09:212734

GlobalFoundries也缺钱了?经济因素搁置7nm LP项目

在制程推进到10nm以内后,研发难度也越来越大,这点从Intel的10nm从2016年跳票到2019年就可以看出。此前,得益于三星背后的支持,GlobalFoundries(格罗方德,格芯)的7nm
2018-08-29 08:31:00773

GlobalFoundries推出强化型55纳米CMOS逻辑制程

逻辑制程 采用ARM下一代存储器和逻辑IP,适合低电压应用 “55nm LPe 1V”平台专为实现超低功耗,更低成本及更优设计灵活性而优化 GLOBALFOUNDRIES今日宣布将公司的 55
2018-09-25 09:24:02279

Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上的8个电源开启顺序的确定

ADI Guneet Chadha探讨电源系统管理(PSM)如何确定Intel Arria ARM Cortex 20nm SoC FPGA上8个电源的时序或按照预定顺序开启各电源
2019-07-24 06:16:001618

Xilinx投片首个ASIC级可编程架构的行业首款20nm器件

赛灵思UltraScale架构:行业第一个ASIC级可编程架构,可从20nm平面晶体管结构 (planar)工艺向16nm乃至FinFET晶体管威廉希尔官方网站 扩展,从单芯片(monolithic)到3D IC扩展。
2019-12-18 15:30:23801

Globalfoundries提供eMRAM 计划在2020年实现多个流片

Globalfoundries正在22nm FD-SOI上提供eMRAM威廉希尔官方网站 ,该公司正在与几个客户合作,计划在2020年实现多个流片。
2020-03-03 15:10:302184

魏少军:20nm以下制程为半导体生态系统带来根本性的改变

20nm以下制程,该公司也将沿用此一发展策略,持续加强与IC设计公司合作,进一步提高生产效率与降低投资风险。
2020-09-08 14:11:272024

华为计划在国内建设45nm制程工艺起步的芯片工厂

 根据报道,华为将在国内建设一家45nm制程工艺起步的芯片工厂,计划在2021年底为物联网设备制造28nm的芯片,并在2022年底之前为5G设备供应20nm的芯片。
2020-11-02 17:41:302770

SK海力士已开始安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM

据etnews报道,SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机,以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM,不过并未透露
2021-01-20 18:19:202146

三星将在3nm时代进一步拉近自己与台积电的芯片代工威廉希尔官方网站 差距

晶体管是器件中提供开关功能的关键组件。几十年来,基于平面晶体管的芯片一直畅销不衰。走到20nm时,平面晶体管开始出现疲态。为此,英特尔在2011年推出了22nm的FinFET,之后晶圆厂在16nm/14nm予以跟进。
2021-03-22 11:35:242074

台积电3nm的晶圆价格高达20,000美元

据业内消息人士称,台积电的每片晶圆销售价格从亚10nm工艺节点开始呈指数级增长,其中3nm的晶圆价格高达20,000美元。
2022-11-23 11:35:081699

TSV关键工艺设备及特点

和关键威廉希尔官方网站 基础上 , 对其中深孔刻蚀、气相沉积、通孔填充、 化学机械抛光(CMP)等几种关键工艺设备进行了详细介绍,对在确保满足生产工艺要求的前提下不同设备的选型应用及对设备安装的厂 务需求提出了相关建议,同时对 TSV 设备做出国产化展望。
2023-02-17 10:23:531010

基于20nm工艺制程的FPGA—UltraScale介绍

UltraScale是基于20nm工艺制程的FPGA,而UltraScale+则是基于16nm工艺制程的FPGA。
2023-03-09 14:12:544128

什么是硅或TSV通路?使用TSV的应用和优势

TSV不仅赋予了芯片纵向维度的集成能力,而且它具有最短的电传输路径以及优异的抗干扰性能。随着摩尔定律慢慢走到尽头,半导体器件的微型化也越来越依赖于集成TSV的先进封装。
2023-07-25 10:09:36470

3D-IC 中 硅通孔TSV 的设计与制造

3D-IC 中 硅通孔TSV 的设计与制造
2023-11-30 15:27:28212

泛林集团独家向三星等原厂供应HBM用TSV设备

三星电子和sk海力士用于tsv蚀刻的设备都是Syndion。synthion是典型的深硅蚀刻设备,深度蚀刻到晶片内部,用于tsv和沟槽等的高度和宽度比的形成。泛林集团 sabre 3d将用于用铜填充蚀刻的晶圆孔来制作线路的tsv线路。
2023-11-30 10:15:57331

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