国际整流器公司IR推出高度创新的600V车用IGBT平台COOLiRIGBT，适合电动车 (EV) 和混合动力车 (HEV) 中的各种高速开关应用，包括车载直流-直流转换器、电机驱动器、电池充电器等。
2012-05-17 10:00:20
1085 
瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压
2012-06-26 11:01:021252 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 英飞凌科技公司将“全球首次”使用口径300mm的硅晶圆制造功率半导体。具体产品是有超结（Super Junction）构造的功率MOSFET“CoolMOS系列产品”，由奥地利菲拉赫工厂生产。
2013-02-25 08:53:001733 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK® 8x8封装的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282339 近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111114 WD0412 是一款基于悬浮衬底和 P_EPI 工艺的600V 高压高低边驱动器，具有高低边两路输出，可以单独驱动两个高压大功率 MOSFET 或 IGBT。WD0412 的输入信号兼容 CMOS
2022-04-28 08:22:451934 
Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出 600V aMOS7™ 超结高压MOSFET。 aMOS7™ 是 AOS最新一代高压 MOSFET平台，旨在满足服务器、工作站、通信电源整流器
2023-05-11 13:52:15665 
线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。 通过对栅极设计和工艺进行优化，与具有相同漏源电压额定值的东芝目前的DTMOSIV-H系列产品相比，600V DTMOSVI系列产品的
2023-06-13 16:38:50712 
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5™ 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 描述这款简单的隔离型反激式设计可在 200mA 的条件下将 50V 至 600V 的输入电压转换成 15V。LM5021-1 控制器因其脉冲跳跃模式而适用于绿色环保模式转换器。由于脉冲跳跃模式的最大
2018-12-14 15:37:05
SJ MOSFET是一种先进的高压威廉希尔官方网站
功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
各位大师 请教个问题本人有台开关电源600V/3A。整流后经四个大容，四个场效应管组成的对管，后经变压器，再经整流。开电没问题。只要工作就烧开关管，大功率场效应管，两个对管。问问是怎么回事，会是哪里造成的。
2013-10-11 00:34:27
最近在做一个项目，直流输出有600V，输出与控制板完全隔离，现在我想通过电阻分压的方式对其进行采样。分别对输出+和输出-作分压采样。但是因为输出地相对板子地是悬浮的，所以分压电路设计上难把握。请问板上大声有没有有经验的或有想法的不吝赐教。另外问一下有没有用过隔离式直流电压采样器件的吗
2015-09-29 16:25:27
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐威廉希尔官方网站
600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
，ID随VGS而变化。从VGS(th)的规格值的角度看，只要条件没有确定，就无法保证VGS(th)的值，因此在MOSFET的威廉希尔官方网站
规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率MOSFET
2018-11-28 14:28:20
DC12V-AH8669内部集成600V高压MOSFET，以满足高电压冲击的需求。不同于典型的PWM控制方式。220V转换12产品开关
2021-11-17 06:18:33
10KA(ROHS)ARR-BM600L-CA8 陶瓷放电二极管600V 10KA (ROHS)ARR-BP600M-CA8 陶瓷放电二极管600V 20KA (ROHS) ARR-BP800M-CA8
2020-06-05 11:52:50
1. 特性 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V 适应 5V、3.3V 输入电压 最高频率支持 500KHZ VCC 和 VB 端电源带欠压保护 低端 VCC 电压范围 10V-20V
2022-09-13 13:22:59
FAN7391MX是一款单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动
2022-01-18 10:43:31
GTO一般最高只能做到几百Hz,但功率较大，已达到3000A、4500V的容量。GTR目前其额定值已达1800V/800A/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz
2012-10-24 08:02:09
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-04 17:14:51
/2kHz、1400v/600A/5kHz、600V/3A/100kHz。IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz
2012-07-06 15:56:04
。高边连接的MOSFET或IGBT的工作电压可高达+600V，IRS26302D广泛用于通用逆变器和空调器逆变器以及马达控制。它为44脚PLCC封装工艺。一、IRS26302DJBPF外观图
2021-05-18 07:25:34
IRS26302D：保护式600V三相栅极驱动器
2016-06-21 18:26:25
JFE 超级铁芯 Super Core 高频用硅钢片，0.1mm硅钢，10JNHF600、10JNEX900
2018-12-06 02:17:50
确保高压侧电源开关的正确驱动。驱动器使用2个独立输入。特性：高压范围：高达600 VdV/dt抗扰度±50 V/nsec栅极驱动电源范围为10 V至20 V高和低驱动输出输出源/汇电流能力250 mA
2021-11-23 13:57:47
具有高脉冲电流缓冲级的设计最小驱动器交叉传导。漂浮的通道可用于驱动N通道电源高压侧配置的MOSFET或IGBT工作电压高达600V。特性：欠压锁定，电压高达600V耐负瞬态电压，dV/dt栅极驱动电源
2021-05-11 19:40:19
IPW60R060P7先找出在此一測試條件下之Vcross、Icross與tp訊息，來描繪出新的SOA。利用上述訊息即可計算出>Pd = 600V x 24A = 14400W>(150
2019-09-17 09:05:05
说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET
2018-11-30 11:35:30
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
/11.5A/5KW62050H-600可程控直流电源 600V/8.5A/5KW62050H-600S可程控直流电源 600V/8.5A/5KW 具有太阳电池模拟功能62075H-30可程控直流电源
2020-04-13 17:00:36
各位大大，最近在做双向逆变，想问一下用2变比的高频变压器，高压侧600V降压到300v，升压的时候可以从300V升压超过600V吗，有人说高频变压器可以升压超过原来高压侧输入的电压，请问有懂这个的能说一下能实现升压超过2变比的吗
2018-03-17 15:26:54
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都）推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品，在保持极快反向恢复时间（trr※1））的同时，提高设计灵活度，非常适用于
2020-03-12 10:08:47
BT136 600E，说是一样的，可以直接代换，我回到家上网一查：BTA08-600B 电流:IT(RMS) = 8A ;耐压:VDRM = 600V;而 BT136 600E 电流:IT(RMS
2015-05-20 07:27:22
国际整流器公司推出一系列新一代500V及600V高压集成电路（HVIC）。这19款新型HVIC采用半桥设计，配有高端和低端驱动器，可广泛适用于包括马达控制、照明、开关电源、音频和平板显示器等
2018-08-31 11:23:15
加深理解，最好还是参阅威廉希尔官方网站
规格的标准值和特性图表。【标准SJ MOSFET：AN系列】R50xxANx（500V）R52xxANx系列（520V）R60xxANx系列（600V）R80xxANx系列
2018-12-03 14:27:05
供应SVSP24NF60FJDD2 24A,600V超级沟槽mos，可广泛应用于适用于硬/软开关拓扑，；骊微电子是士兰微mos代理商，提供SVSP24NF60FJDD2 24A,600V超级沟槽mos产品详细参数及样品申请。>>
2022-07-13 14:31:40
本文将介绍英飞凌的第三代采用沟槽栅场终止威廉希尔官方网站
的 600V IGBT，即IGBT3在UPS中的应用。在介绍最新沟槽栅场终止威廉希尔官方网站
的背景后，本文探讨如何充分利用IGBT静态与动态性能改进和175℃的
2009-11-20 14:30:27
88 输入12V 5A输出600V 100MA直流逆变器电源电路
2008-12-07 19:43:292428 
英飞凌欲借新一代超结MOSFET树立硬开关应用基准
英飞凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET产品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP两个产品系列的优势，可降低设
2009-06-23 21:17:44594 IGBT在客车DC 600V系统逆变器中的应用与保护
1．1 IGBT的结构特点
IGBT是大功率、集成化的“绝缘栅双极晶体管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合
2009-11-05 10:15:211329 
超高效率600V H系列整流器扩展硅二极管性能
为协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战， Qspeed半导体公司推出H系列组件Qspeed新款600V功率因数校正器（PFC
2009-12-31 10:03:11953 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 500V和600V的高压MOSFET
安森美半导体(ON Semiconductor)扩充公司市场领先的功率开关产品阵容，推出包括500伏特(V)和600 V器件的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFE
2010-02-23 16:15:341664 IR推出汽车驱动应用的AUIRS2301S 600V IC
国际整流器公司(IR)推出 AUIRS2301S 600V IC，适用于汽车电机驱动、微型逆变器驱动和通用三相逆变器应用。AUIRS2301S
2010-03-25 11:36:411349 
IR上市600V耐压的车载设备用栅极驱动IC
美国国际整流器公司（IR）上市了+600V耐压的车载设备用栅极驱动IC"AUIRS2301S"。主要用
2010-04-09 10:10:32876 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 关注点一：功率半导体器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用"超级结"（Super-Junction）结构，故又称超结功率MOSFET。工作电压600V～800V，通态电阻几乎降低了
2010-12-14 12:06:40639 8S2TH06I-M是Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出的600V FRED PtTM Hyperfast串级整流器。
2011-04-01 09:36:43782 在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会（5月17日至19日）上，英飞凌科技600V逆导型（RC）IGBT家族的两名新成员闪亮登场。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利
2011-06-02 08:57:13744 罗姆开发了采用SiC功率元件的功率模块，额定电压和电流分别为600V和1000A。该产品是与美国Arkansas Power Electronics International公司共同开发的。之所以能承受1000A的大电流，是因为采用了沟
2011-10-12 09:48:461281 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日新推出600V车用IGBT系列，专门针对电动汽车和混合动力汽车中的变速电机控制和电源应用进行了优化
2011-10-13 09:03:46847 本文介绍了直流600V输人多路直流输出高频开关电源设计方案，主电路采用双管反激功率变换电路，控制电路采用电流型PWM控制威廉希尔官方网站
2011-10-18 11:51:23128 美国Transphorm公司发布了耐压为600V的GaN类功率元件。该公司是以美国加州大学圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人员为核心创建的风险企业，因美国谷歌向其出资而备受功率半导体
2012-05-18 11:43:441931 华润微电子有限公司旗下的华润上华科技有限公司（后简称“华润上华”）宣布已开发完成600V和1700V Planar NPT IGBT（平面非穿通型绝缘栅双极晶体管）以及600V Trench PT IGBT（沟槽穿通型绝缘
2012-05-29 08:47:481938 瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150m（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结（SJ：Super Junction）型功率MOSFETRJL60S5系列，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情
2012-06-26 11:03:40794 全球功率半导体和管理方案领导厂商——国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 系列，并提供多种封装选择。
2014-05-14 13:58:421270 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 耐压600V的MOSFET比较便宜，很多认为LED灯具的输入电压一般是220V，所以耐压600V足够了，但是很多时候电路电压会到340V，在有的时候，600V的MOSFET很容易被击穿，从而影响了
2017-05-22 15:12:104927 高压Gatedriver 600V工艺，替代IR2103，替代FD2503，替代SDC9301
2017-11-23 14:17:3233 高压Gatedriver 600V工艺，替代IR2104，替代FD2504
2017-11-23 14:15:2346 描述bp6901a / bp6908a是一种高电压，高速半桥预潜水员对功率MOSFET和IGBT。它具有高侧和低侧的输入，以及具有内部死区时间的两个输出通道，以避免交叉传导。输入逻辑水平与3.3v/5v/15v信号兼容。浮高侧通道可驱动N沟道功率MOSFET或IGBT 600V。
2017-11-23 14:13:3756 关注点一：功率半导体器件性能 1998年，Infineon公司推出冷mos管，它采用超级结(Super-Junction)结构，故又称超结功率MOSFET。工作电压600V～800V，通态电阻几乎
2017-12-02 08:14:26148 MIC4609 是一款600V 三 相MOSFET/IGBT 驱 动 器。 MIC4609具有300 ns的典型输入滤波时间，旨在避免出现意外的脉冲和获得550 ns的传播延时。MIC4609具有 TTL输入阈值。
2018-07-02 09:24:0011 除此之外，华虹宏力还是全球领先的功率半导体代工厂，拥有10年以上功率器件产品稳定量产经验，累计出货超过410万片晶圆，可为客户提供独特的、富有竞争力的超级结MOSFET（Super Junction
2019-10-18 16:45:131578 商业化正处于起步阶段，FS威廉希尔官方网站
更是远远落后于发达国家。本论文提出一种600V平面栅FS-IGBT器件的设计与制造方法，并通过
2019-12-19 17:59:0025 在高温下，温度系数会显著改变击穿电压。例如，一些600V电压等级的N沟道MOSFET的温度系数是正的，在接近最高结温时，温度系数会让这些MOSFET变得象650V MOSFET。
2021-03-11 09:50:583725 LT1358/LT1359：双路和四路25 MHz、600V/µs运算放大器数据表
2021-05-08 12:42:3510 LT1357：25MHz，600V/OP数据Sheet
2021-05-21 09:20:080 SVF12N60F/S/K 600V N沟道增强型场效应管资料下载。
2022-02-16 14:52:580 220V交流转600V直流，没有380的可以这样接直流母线上
2022-06-06 10:07:2919 Vishay 推出四款采用 TO-220 FullPAK 2L 全隔离封装的新型 FRED Pt 第五代 600V Hyperfast 恢复整流器。
2022-10-14 16:11:241100 Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817 AN-9085 智能电源模块，600V Motion SPM®3 ver.5 系列用户指南
2022-11-14 21:08:341 600V SPM® 2 系列热性能（通过安装扭矩）
2022-11-15 20:04:030 近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM/li> 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 无需自举二极管和限流电阻 当保护电路被激活时，警报输出（...
2023-02-08 13:43:21561 
600V耐压IGBT IPM：BM6337x系列 关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 优化内置...
2023-02-08 13:43:21869 超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声等特征，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。
2023-02-10 09:41:06555 
超级结MOSFET是与平面MOSFET相比，导通电阻和栅极电荷（Qg）显著降低的MOSFET。ROHM的600V超级结MOSFET具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。
2023-02-10 09:41:07578 
20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMH600UNE
2023-02-20 20:06:390 PT5616/PT5616A是全桥驱动IC，在最大阻断电压为600V的三相系统中，用于控制功率器件，如MOS晶体管或IGBT。
2023-02-24 18:13:331589 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZB600UNEL
2023-02-27 19:10:050 20 V、双 N 沟道沟槽 MOSFET-PMDXB600UNEL
2023-02-27 19:16:050 20 V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMZ600UNE
2023-03-02 22:49:200 有助于配备小型电机的设备减少抗噪声设计工时和部件数量，并降低功率损耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
同时实现业界超快反向恢复时间和业界超低导通电阻，可进一步降低工业设备和白色家电的损耗 ROHM的600V耐压Super Junction MOSFET PrestoMOS 产品阵容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 逆变器、全桥驱动逆变器等领域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特点■浮动工作电压可达600V■拉灌电流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的输入逻辑电平■dV/dt抗干扰能力±5
2023-03-29 09:24:35934 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 美格纳半导体宣布推出微纳加工增强型第六代 600V 超级结金属氧化物半导体场效应晶体管 (SJ MOSFET)。 这款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出采用SOT-223-3小型封装(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐压Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08243 
小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET *1 ，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
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