Vishay新推出的24 V XClampR 瞬态电压抑制器的性能达到业界先进水平 双向器件高功耗和高脉冲电流结合高度温度稳定性适用于汽车、通信和工业应用 宾夕法尼亚、MALVERN
2022-07-01 10:12:23
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日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出免费的在线工具PowerCAD Simulation，可以让工程师又快又方便地对采用Vishay Siliconix稳压器IC的电路进行测试和优化。
2012-04-10 09:32:33623 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款采用热增强型2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封装的单路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:30984 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:111791 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出免费的在线工具PowerCAD Simulation，可以让工程师又快又方便地对采用Vishay Siliconix稳压器IC的电路进行测试和优化。
2012-04-05 15:06:54655 --- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模拟工艺，导通电阻只有1.5Ω。与前一代产品和在相同占位内具有近似导通电阻的竞争模拟开关相比，这些器件在关闭
2019-03-08 15:06:392213 Vishay 宣布，推出迄今体积最小的汽车级IHLP®超薄、大电流电感---IHLP-1212Ax系列之IHLP-1212AZ-A1和IHLP-1212AB-A1。
2019-07-25 09:29:561631 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
Vishay宣布，推出经过AEC-Q200认证、业界先进的采用混合绕线威廉希尔官方网站
、标准封装尺寸的新型充电电阻--- HRHA。
2022-03-16 11:21:34618 
V Hyperfast恢复整流器---12 A VS-E5TW1206FP-N3和VS-E5TX1206FP-N3以及15 A VS-E5TW1506FP-N3 和VS-E5TX1506FP-N3。该系列的整流器反向恢复性能达到业界先进水平，提高中频逆变器和软硬开关或谐振电路的效率。 Visha
2022-10-11 13:51:48519 
年 1 月 30 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT
2023-01-30 10:09:49529 
`深圳市三佛科技有限公司 供应 30A 30A P沟道 MOS管 30P03，原装，库存现货热销30P03 参数： -30V -30A DFN3*3-8 P沟道 MOS管/场效应管品牌：HN
2021-03-30 14:33:48
，增强型MOSFET分为P沟道增强型和N沟道增强型，耗尽型MOSFET分为P沟道耗尽型和N沟道耗尽型。在本文中，小编将介绍其中一种类型的MOSFET，即P沟道MOSFET。基本概念沟道由大多数电荷载流子作为
2022-09-27 08:00:00
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
概述：CN2305是上海如韵电子出品的一款P沟道增强型功率MOSFET，它采用先进工艺，提供较低的导通电阻，低栅极电荷和低工作电压，栅极电压可低至2.5V。CN2305适合用于电池保护，或PWM开关中的应用。
2021-04-13 06:46:20
Si9241AEY是一个单片总线收发器提供汽车双向串行通信诊断应用程序。该装置具有过电压保护和VBAT短路。收发信管脚受到保护可以驱动超过VBAT电压。Si9241AEY建立在Vishay
2020-07-25 14:28:42
`威世利用其硅尼克斯 （Vishay Siliconix）配件，在开发功率半导体产品方面居世界领先地位，这些产品提高了要求缩减空间的终端产品中电源管理电路的效率。作为世界排名第一的低压功率
2021-02-23 18:00:56
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用金端接，用导电胶合的新系列精密薄膜片式电阻。MC ATAU系列的外形尺寸为0402和0603，可在+ 155 ℃高温下工
2014-08-08 14:15:16
0.47m?，饱和电流的范围介于15.5A～120A，在频率至5MHz范围内其损耗相当低。 Vishay此次推出的这四款器件具有5.6μH、6.8μH、8.2μH及10μH的电感值，容差为±20%。已获
2018-10-24 11:33:47
MIS1011 是最先进的130万像素，数字CMOS图像传感器,兼容AR0130，特别在低照时要比APTINA的AR0130还要清晰。
2015-08-27 13:09:49
今年二月23日，Nordic在官网宣布，nRF52832进入批量生产。并且说是最先进的蓝牙智能单芯片SOC。让我们看看有什么地方突破的。1.首款通过Bluetooth v4.2认证。通过了
2016-03-15 14:01:57
Hittite推出业界领先的商业DRO产品线
2019-09-11 06:01:58
/>【正文快照】：IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。这些新的功率MOSFET采用IR最先进的硅
2010-05-06 08:55:20
的生产成本也更低，因此价格更低，性能高于 p 沟道 MOSFET。在P沟道MOSFET中，源极连接到正电压，当栅极上的电压低于某个阈值（Vgs 0）时，FET导通。这意味着，如果您想使用 P 沟道
2023-02-02 16:26:45
小编在接到客户咨询关于MOS管的时候，总会被问到一个问题：怎么选择合适的MOS管？关于这一个问题，昨天针对这个问题，在电压、电流方面已经做出了部分解释，今天我们来看其他方面的影响。确定N、P沟道
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
更高的摄影相结合。我们相信，我们高性能的OV14810在这方面的发展有很大发展潜力。“ >>OmniVision新的14.6百万像素高清传感器采用最先进的1.4微米OmniBSITM像素
2018-11-14 16:40:29
今天，我们推出了TI-RTOS 2.12 —— 我们用来加快开发物联网（IoT）应用的软件平台。对许多IoT应用而言，电池寿命均是一个关键的优劣区分因素，因此，TI-RTOS的最先进电源管理软件使
2018-09-10 15:16:57
1、MSO的三个极怎么判定：MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。G极，不用说比较好认。S极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是；D极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边。2、他们
2019-09-11 07:30:00
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
各位好，有没有2个N沟道和2个P沟道的集成芯片推荐，电流大于1A就可以了，谢谢
2021-10-11 10:27:45
安捷伦科技公司推出业界最先进的固定配置逻辑分析仪
2019-09-29 10:20:17
ARM推出具备先进安全特性的全新实时处理器，面向无人驾驶、医疗和工业机器人领域。ARMCortex-R52旨在帮助系统实现功能安全，满足汽车和工业市场中最严格的安全标准ISO 26262 ASIL
2016-10-08 17:10:36
MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道威廉希尔官方网站
，这主要
2021-04-09 09:20:10
2023年2月27日，中国上海 — 思特威（上海）电子科技股份有限公司，正式推出业界首颗5MP DSI－2威廉希尔官方网站
全性能升级Pro系列安防应用图像传感器新品SC5336P。新品拥有3K级的清晰画质，既是
2023-02-28 09:24:04
新品发布|业界首款！润开鸿最新推出RISC-V 高性能芯片➕ OpenHarmony标准系统的智能硬件开发平台HH-SCDAYU800
2023-01-13 17:43:15
扩展了旗下 16 纳米 (nm)Virtex® UltraScale+™ 产品系列。VU19P拥有 350 亿个晶体管，有史以来单颗芯片最高逻辑密度和最大I/O 数量，用以支持未来最先进 ASIC 和 SoC 威廉希尔官方网站
的仿真与原型设计，同时，也将广泛支持测试测量、计算、网络、航空航天和国防等相关应用。
2020-11-02 08:34:50
Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引TO-252 DPAK 封装的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列产品。凭借反向成型的接脚，采取「SUR」封装的TrenchFET 能使该产品反向
2010-09-05 10:26:59
64 Vishay 推出业界最小尺寸的超高精度Bulk Metal® Z箔卷型表面贴装电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布推出新型 VSMP0603 超高精度Bulk Metal&r
2008-08-18 10:04:09428 日前，Vishay Intertechnology宣布推出业界首款采用 MICRO FOOT 芯片级封装的 TrenchFET 功率 MOSFET --- Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。
Si8422DB 针对手机、PDA、数码相机、MP3 播放器
2009-01-26 23:24:221152 Vishay推出业界最薄的表面贴装瞬间电压抑制器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出具有业内1.1mm最薄厚度的新系列1500W表面贴装TransZorb®
2009-11-19 09:57:35381 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 Vishay推出Bulk Metal箔电阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出副基准、密封充油的Bulk Metal®箔电阻 --- H和HZ系列，在精度、稳定性和速度上都设定了新的
2010-01-09 09:44:18595 Vishay推出4款MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V FET">MOSFET --- SiHP22N60S
2010-01-27 09:31:291277 Vishay发布2010年的“Super 12”高性能产品
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出2010年的“Super 12”高性
2010-03-25 15:37:06660 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出Power Metal Strip分流电阻的流媒体视频
Vishay推出为帮助客户了解如何将Vishay Dale电阻威廉希尔官方网站
用于定制产品，满足特定用户的需求，Vishay在其网站(
2010-05-08 16:14:23629 日前，长期为军工和航天客户提供高可靠性分立和IC器件的供应商Vishay Intertechnology, Inc.宣布，该公司旗下子公司Vishay Siliconix位于加州Santa Clara的工厂已经通过了DSCC的
2010-07-07 18:08:29710 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款具有0.035的超低阻抗和1.75A的高纹波电流的表面贴装铝电容器 --
2010-09-28 09:24:12626 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出业界首款采用非接触威廉希尔官方网站
的多匝传感器 --- 34 THE。10匝34 THE霍尔效应传感器可采用伺服或套管安装，为在恶劣环境中
2010-12-16 09:26:36474 Vishay宣布，推出业界首款绿色、符合RoHS标准（无任何例外）的厚膜矩形贴片电阻--- RCG e3
2011-03-24 10:36:571265 Vishay宣布，推出具有为PWM优化的高边和低边N沟道MOSFET、全功能MOSFET驱动IC、自举二极管的集成DrMOS解决方案---SiC779CD
2011-05-12 08:51:141383 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 高效能类比与混合讯号IC领导厂商芯科实验室(Silicon Laboratories)宣布推出业界最先进的车用调谐器IC系列--Si476x，该系列晶片采用先进的讯号处理威廉希尔官方网站
提供最高的射频(RF)效能，能够降低汽
2011-11-25 10:01:361256 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 内小蜂窝基站威廉希尔官方网站
领导者Mindspeed科技有限公司(纳斯达克股票市场代码：MSPD)日前宣布：为双模并发3G和长期演进计划（LTE）运营推出最先进的系统级芯片（SoC）解决方案。
2012-02-22 11:47:301283 Mouser Electronics开始供应Vishay Siliconix第一款採用业界最小的晶片级封装，并将导通电阻降至 1.2V 的 MOSFET。
2012-11-26 09:28:421014 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关，器件可在1.5V～5.5V电压范围内工作，具有低至20mΩ的导通电阻、低静态电流， 导通电压上升斜率为3ms
2013-05-03 15:50:581089 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结威廉希尔官方网站
，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® 1212-8封装的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 12 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用2.4mm
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
2014-02-10 15:16:51890 voicor batmod最先进的电池充电器
2016-06-02 15:41:0939 转换器中节省空间和电能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N沟道TrenchFET®器件把高边和低边MOSFET组合进小尺寸5mm x 6mm PowerPAK® SO-8L双片不对称封装里，低边MOSFET的最大导通电阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171004 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，将多个Vishay Siliconix模拟开关产品升级到了新工艺，大幅提升了器件性能和寿命。这种新工艺能够替代渐趋过时的硅威廉希尔官方网站
2016-09-02 09:15:071699 MOSFET的首颗器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N沟道SiHP065N60E的导通电阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，为通信、工业和企业级电源提供
2017-02-10 15:10:111667 Vishay推出输入电压为4.5V～60V的新款2A～10A器件---SiC46X，扩充其microBUCK同步降压稳压器。Vishay Siliconix SiC46X器件十分节省空间，在小尺寸
2018-05-21 10:56:001893 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出世界上最先进的6轴运动传感器，全面支持智能手机、平板电脑和数码相机的光学图像稳定系统（image stabilization）。
2018-07-02 11:50:005359 关键词：MOSFET , Si8802DB , Si8805EDB , Vishay 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用
2019-01-01 16:29:01380 Allegro近日推出公司最先进的变速箱速度传感器系列产品A19520、A19530和A19570。
2019-01-23 14:07:593536 高通宣布推出第二代5G调制解调器骁龙X55，采用7纳米工艺，号称迄今最先进的调制解调器，目前已有30多款5G手机在研发，预计今年年底前问世。
2019-02-21 15:19:244493 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新系列小型径向引线高压单层瓷片电容器---RoedersteinHVCC系列。Vishay
2019-05-16 09:22:534093 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低导通电阻的新款±15V精密单片4路单刀单掷(SPST)CMOS模拟开关--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。
2020-01-09 15:00:141020 非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。
2020-12-15 16:09:501556 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET威廉希尔官方网站
。
2021-04-21 17:50:211274 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装，导通电阻低至 0.95 mΩ，优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出六款新型 3.4 mm×3.4 mm 表面贴装 850 nm 和 940 nm 高功率红外(IR)发射器，辐照强度达到同类器件先进水平，进一步扩充其光电产品组合。新款 Vishay
2022-02-21 13:31:351569 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 为满足国防和航空航天应用需求，Vishay 推出新款高能液钽电容器，器件每款电压等级和外形尺寸的容量均为业界先进。
2022-05-26 17:23:531501 Vishay 推出新系列薄型符合 AEC-Q200 标准的 DC-Link 金属化聚丙烯薄膜电容器。Vishay RoedersteinMKP1848Se DC-Link 是业界先进器件，在额定电压
2022-06-16 17:14:061160 N 沟道器件实现高功率密度，降低导通和开关损耗，提高能效 宾夕法尼亚、 MALVERN — 202 2 年 10 月 12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817 中国目前最先进的国产芯片是哪个呢？
2023-05-29 09:44:2218385 Vishay 推出多功能新型 30 V N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。
2024-02-22 17:11:08355 
近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294 全球知名半导体解决方案供应商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。这款新型功率
2024-03-12 10:38:14104
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